Výsledky vyhledávání - "Matys, Maciej"

Report

Extremely high-density ($>10^{14}$cm$^{-2}$) with very low sheet resistance 2D electron gases in N-polar AlGaN/GaN heterostructures with GaN/AlN superlattice back barriers grown on sapphire substrates

Autor: Matys, Maciej, Yamada, Atsushi, Ohki, Toshihiro

We report on the realization of extremely high-density ($>10^{14}$cm$^{-2}$) 2D electron gases in N-polar AlGaN/GaN heterostructures grown on sapphire substrates. By introduction the GaN/AlN superlattice (SL) back barrier between GaN buffer layer and

Externí odkaz: http://arxiv.org/abs/2409.12570

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Akademický článek

Process engineering of GaN power devices via selective-area p-type doping with ion implantation and ultra-high-pressure annealing.

Autor: Kachi, Tetsu, Narita, Tetsuo, Sakurai, Hideki, Matys, Maciej, Kataoka, Keita, Hirukawa, Kazufumi, Sumida, Kensuke, Horita, Masahiro, Ikarashi, Nobuyuki, Sierakowski, Kacper, Bockowski, Michal, Suda, Jun

Publikováno v: Journal of Applied Physics; 10/7/2022, Vol. 132 Issue 13, p1-14, 14p

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání