Zobrazeno 1 - 10
of 68
pro vyhledávání: '"Matveyev, Yu. A."'
Autor:
Telang, Prachi, Mishra, Kshiti, Bag, Rabindranath, Gloskovskii, A., Matveyev, Yu., Singh, Surjeet
Eu2Ir2O7, a candidate Weyl semimetal, shows an insulator-to-metal transition as a function of Bi substitution at the Eu site. In this work, we investigate the (Eu_1-xBi_x)2Ir2O7 series via Hard X-ray Photoemission Spectroscopy (HAXPES), where substit
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2101.11989
Autor:
Medjanik, K., Babenkov, S. V., Chernov, S., Vasilyev, D., Elmers, H. J., Schoenhense, B., Schlueter, C., Gloskowskii, A., Matveyev, Yu., Drube, W., Schoenhense, G.
We established a new approach to hard-X-ray photoelectron spectroscopy (HAXPES). The instrumental key feature is an increase of the dimensionality of the recording scheme from 2D to 3D. A high-energy momentum microscope can detect electrons with init
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1810.11366
Autor:
Negrov, D. V., Karandashev, I. M., Shakirov, V. V., Matveyev, Yu. A., Dunin-Barkowski, W. L., Zenkevich, A. V.
We describe an approximation to backpropagation algorithm for training deep neural networks, which is designed to work with synapses implemented with memristors. The key idea is to represent the values of both the input signal and the backpropagated
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1511.07076
Autor:
Nikolaev, S. N., Semisalova, A. S., Rylkov, V. V., Tugushev, V. V., Zenkevich, A. V., Vasiliev, A. L., Pashaev, E. M., Chernoglazov, K. Yu., Chesnokov, Yu. M., Likhachev, I. A., Perov, N. S., Matveyev, Yu. A., Novodvorskii, O. A., Kulatov, E. T., Bugaev, A. S., Wang, Y., Zhou, S.
We present the results of a comprehensive study of magnetic, magneto-transport and structural properties of nonstoichiometric MnxSi1-x (x=0.51-0.52) films grown by the Pulsed Laser Deposition (PLD) technique onto Al2O3(0001) single crystal substrates
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1510.02257
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering 2011 88(7):1353-1356
Autor:
Congedo, G., Spiga, S., Lamagna, L., Lamperti, A., Lebedinskii, Yu., Matveyev, Yu., Zenkevich, A., Chernykh, P., Fanciulli, M.
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering 2009 86(7):1696-1699
Autor:
Telang, Prachi, Bandyopadhyay, Abhisek, Mishra, Kshiti, Rout, Dibyata, Bag, Rabindranath, Gloskovskii, A, Matveyev, Yu, Singh, Surjeet
Publikováno v:
Journal of Physics: Condensed Matter; 10/8/2022, Vol. 34 Issue 39, p1-10, 10p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.