Zobrazeno 1 - 1 of 1 pro vyhledávání: '"Mattsson, Måns Johannes"'
1
Periodical
Trap Assessment and Mobility Simulation of Amorphous Indium Gallium Zinc Oxide Thin Film Transistors.
Autor: Mattsson, Måns Johannes, Parker, Jared, Wager, John F, Graham, Matt Werden
Publikováno v: ECS Meeting Abstracts; 2024, Vol. MA2024-01 Issue 1, p1565-1565, 1p
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje