Zobrazeno 1 - 10 of 14 pro vyhledávání: '"Matsuo, P. J."'
2
Akademický článek
Surface etching mechanism of silicon nitride in fluorine and nitric oxide containing plasmas.
Autor: Kastenmeier, B. E. E., Matsuo, P. J., Oehrlein, G. S., Ellefson, R. E., Frees, L. C.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part A-Vacuums, Surfaces & Films; 2001, Vol. 19 Issue 1, p25-30, 6p
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Highly selective etching of silicon nitride over silicon and silicon dioxide.
Autor: Kastenmeier, B. E. E., Matsuo, P. J., Oehrlein, G. S.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part A-Vacuums, Surfaces & Films; 1999, Vol. 17 Issue 6, p3179-3184, 6p
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Effect of capacitive coupling on inductively coupled fluorocarbon plasma processing.
Autor: Schaepkens, M., Rueger, N. R., Beulens, J. J., Li, X., Standaert, T. E. F. M., Matsuo, P. J., Oehrlein, G. S.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part A-Vacuums, Surfaces & Films; 1999, Vol. 17 Issue 6, p3272-3280, 9p
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Silicon etching in NF3/O2 remote microwave plasmas.
Autor: Matsuo, P. J., Kastenmeier, B. E. E., Oehrlein, G. S., Langan, J. G.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part A-Vacuums, Surfaces & Films; 1999, Vol. 17 Issue 5, p2431-2437, 7p
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Patterning of fluorine-, hydrogen-, and carbon-containing SiO2-like low dielectric constant materials in high-density fluorocarbon plasmas: Comparison with SiO2.
Autor: Standaert, T. E. F. M., Matsuo, P. J., Allen, S. D., Oehrlein, G. S., Dalton, T. J.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part A-Vacuums, Surfaces & Films; 1999, Vol. 17 Issue 3, p741-748, 8p
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Characterization of Al, Cu, and TiN surface cleaning following a low-K dielectric etch.
Autor: Matsuo, P. J., Standaert, T. E. F. M., Allen, S. D., Oehrlein, G. S., Dalton, T. J.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics & Nanometer Structures; 1999, Vol. 17 Issue 4, p1435-1447, 13p
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
Remote plasma etching of silicon nitride and silicon dioxide using NF3/O2 gas mixtures.
Autor: Kastenmeier, B. E. E., Matsuo, P. J., Oehrlein, G. S., Langan, J. G.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part A-Vacuums, Surfaces & Films; 1998, Vol. 16 Issue 4, p2047-2056, 10p
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
Role of N2 addition on CF4/O2 remote plasma chemical dry etching of polycrystalline silicon.
Autor: Matsuo, P. J., Kastenmeier, B. E. E., Beulens, J. J., Oehrlein, G. S.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part A-Vacuums, Surfaces & Films; 1997, Vol. 15 Issue 4, p1801-1813, 13p
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Chemical dry etching of silicon nitride and silicon dioxide using CF4/O2/N2 gas mixtures.
Autor: Kastenmeier, B. E. E., Matsuo, P. J., Beulens, J. J., Oehrlein, G. S.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part A-Vacuums, Surfaces & Films; 1996, Vol. 14 Issue 5, p2802-2813, 12p
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje