Výsledky vyhledávání - "Matragrano, M. J."

Akademický článek

Anisotropic strain relaxation of GaInP epitaxial layers in compression and tension.

Autor: Matragrano, M. J., Ast, D. G., Shealy, J. R., Krishnamoorthy, V.

Publikováno v: Journal of Applied Physics; 6/1/1996, Vol. 79 Issue 11, p8371, 8p, 1 Black and White Photograph, 3 Diagrams, 1 Chart, 7 Graphs

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Measurement of the mean free path of dislocation glide in the InGaAs/GaAs materials system.

Autor: Matragrano, M. J., Ast, D. G., Watson, G. P., Shealy, J. R.

Publikováno v: Journal of Applied Physics; 1/15/1996, Vol. 79 Issue 2, p776, 5p, 2 Black and White Photographs, 2 Graphs

Zobrazit plný text záznamu

Periodical

Growth of GaInP/GaAsP short period superlattices by flow modulation organometallic vapor phase epitaxy

Autor: Whittingham, K. L., Emerson, D. T., Shealy, J. R., Matragrano, M. J., Ast, D. G.

Publikováno v: Journal of Electronic Materials; November 1995, Vol. 24 Issue: 11 p1611-1615, 5p

Zobrazit plný text záznamu

Periodical

Characterization and elimination of surface defects in Ga~xIn~1~-~xP grown by organometallic vapor phase epitaxy

Autor: Matragrano, M. J., Krishnamoorthy, V., Ast, D. G., Shealy, J. R.

Publikováno v: Journal of Crystal Growth; 1994, Vol. 142 Issue: 3 p275-275, 1p

Zobrazit plný text záznamu