Zobrazeno 1 - 10
of 93
pro vyhledávání: '"Matmon G"'
Autor:
Beckert, A., Grimm, M., Wili, N., Tschaggelar, R., Jeschke, G., Matmon, G., Gerber, S., Müller, M., Aeppli, G.
Publikováno v:
Nature Physics (2024)
Quantum sensors and qubits are usually two-level systems (TLS), the quantum analogs of classical bits which assume binary values '0' or '1'. They are useful to the extent to which they can persist in quantum superpositions of '0' and '1' in real envi
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2210.01024
Autor:
Beckert, A., Hermans, R. I., Grimm, M., Freeman, J. R., Linfield, E. H., Davies, A. G., Müller, M., Sigg, H., Gerber, S., Matmon, G., Aeppli, G.
We use complementary optical spectroscopy methods to directly measure the lowest crystal-field energies of the rare-earth quantum magnet LiY$_{1-x}$Ho$_{x}$F$_{4}$, including their hyperfine splittings, with more than 10 times higher resolution than
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2012.09233
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Beckert, A, Grimm, M, Hermans, RI, Freeman, JR, Linfield, EH, Davies, AG, Müller, M, Sigg, H, Gerber, S, Matmon, G, Aeppli, G
The insulating rare-earth magnet LiY1−xHoxF4 has received great attention because a laboratory field applied perpendicular to its crystallographic c axis converts the low-energy electronic spin Hamiltonian into the (dilute) transverse field Ising m
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=core_ac_uk__::597a16e6b6b60785f089771bc1a6f68e
https://eprints.whiterose.ac.uk/191002/1/CFpar_V11.pdf
https://eprints.whiterose.ac.uk/191002/1/CFpar_V11.pdf
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Matmon, G, Ginossar, Eran, Villis, B, Kolker, A, Lim, T, Solanki, H, Schofield, S, Curson, N, Li, Juerong, Murdin, Benedict, Fisher, A, Aeppli, G
Doping of silicon via phosphene exposures alternating with molecular beam epitaxy overgrowth is a path to Si:P substrates for conventional microelectronics and quantum information technologies. The technique also provides a new and well-controlled ma
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::d2a664f9adefc1965a01c2cab735a18a
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Matmon, G., Paul, D. J., Lever, L., Califano, M., Ikonic, Z., Kelsall, R. W., Zhang, J., Chrastina, D., Isella, G., von Känel, H., Müller, E., Neels, A.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; Mar2010, Vol. 107 Issue 5, p053109-053115, 7p, 2 Diagrams, 9 Graphs
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Because of its role as a model system with tunable quantum fluctuations and quenched disorder, and the desire for optical control and readout of its states, we have used high-resolution optical absorption spectroscopy to measure the crystal-field exc
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::4229276943b1ee9d1aa0ac3547590f72
https://resolver.caltech.edu/CaltechAUTHORS:20161121-124344148
https://resolver.caltech.edu/CaltechAUTHORS:20161121-124344148