Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Growth of p-type and n-type m-plane GaN by molecular beam epitaxy

Autor: McLaurin, M, Mates, T E, Wu, F, Speck, J S

Publikováno v: McLaurin, M; Mates, T E; Wu, F; & Speck, J S. (2006). Growth of p-type and n-type m-plane GaN by molecular beam epitaxy. Journal of Applied Physics, 100(6). UC Santa Barbara: Retrieved from: http://www.escholarship.org/uc/item/52d8g7h0

Plasma-assisted molecular beam epitaxial growth of Mg-doped, p-type and Si-doped, n-type m-plane GaN on 6H m-plane SiC is demonstrated. Phase-pure, m-plane GaN films exhibiting a large anisotropy in film mosaic (similar to 0.2 degrees full width at h

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______325::29a3f5f10966f70db8f6eee8bb00fa15
http://www.escholarship.org/uc/item/52d8g7h0

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Interfacial Diffusivity of Moisture Along A SiO2/Tin Interface Measured Using Imaging Secondary Ion Mass Spectroscopy (SIMS).

Autor: Xu, Guanghai, Mates, T. E., Clarke, D. R., Ma, Qing, Fujimoto, Harry

Publikováno v: MRS Online Proceedings Library; Dec1999, Vol. 563 Issue 1, p257-262, 6p

Preparing Contamination-free Mica Substrates for Surface Characterization, Force Measurements, and Imaging

Autor: Israelachvili, J. N., Alcantar, N. A., Maeda, N., Mates, T. E., Ruths, M.

Publikováno v: Langmuir; April 2004, Vol. 20 Issue: 9 p3616-3622, 7p