Zobrazeno 1 - 10
of 53
pro vyhledávání: '"Matacena, I."'
Publikováno v:
Materials Science Forum. 1062:663-668
SiC MOSFETs have already replaced silicon-based device in power applications, even if some technological issues are still not solved. Among others, the complex traps distribution at SiC/SiO2 interface is of foremost importance. Interface traps affect
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::8e04bd14c52ded9234e05d39f0a60873
https://doi.org/10.4028/p-96q66n
https://doi.org/10.4028/p-96q66n
Publikováno v:
Materials Science Forum. 1062:669-675
SiC MOSFETs have already replace silicon-based device in power applications, even if some technological issues are still not solved. The most important of them is related to the complex traps distribution at SiC/SiO2 interface. Interface traps affect
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::299b48930d7b1dc8688ea9b82ad44edd
https://doi.org/10.4028/p-bzki64
https://doi.org/10.4028/p-bzki64
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Matacena, I., Lancellotti, L., Guerriero, P., Bobeico, E., Lisi, N., Delli Veneri, P., Daliento, S.
8th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion; 409-411
The aim of this work is the study of beneficial effects of HNO3 doping for G/Si SJSCs by means of capacitance versus voltage (C-V) curves and impedance spectroscopy characterization
The aim of this work is the study of beneficial effects of HNO3 doping for G/Si SJSCs by means of capacitance versus voltage (C-V) curves and impedance spectroscopy characterization
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::aa17366c07fb6923356c8fe04cfb1527
Autor:
Matacena, I., Lancellotti, L., Guerriero, P., Alfano, B., Bobeico, E., De Maria, A., La Ferrara, V., Mercaldo, L.V., MIglietta, M., Polichetti, T., Rametta, G., Sannino, G.V., Delli Veneri, P., Daliento, S.
8th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion; 313-315
The aim of this work is the study of the degradation of two different PSCs. A PSC with undoped SnO2 ETL was compared to a PSC with ETL made of G-SnO2. Degradation was monitored by p
The aim of this work is the study of the degradation of two different PSCs. A PSC with undoped SnO2 ETL was compared to a PSC with ETL made of G-SnO2. Degradation was monitored by p
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::be5c3ed5036c4ddf2f62aa374fe7d249
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.