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pro vyhledávání: '"Matériaux pour l'électronique"'
Autor:
Mavel, Amaury
La microélectronique rencontre des difficultés croissantes avec la miniaturisation des composants. La photonique sur silicium propose de les contourner en choisissant le photon comme vecteur de l'information, mais les sources de ces photons restent
Externí odkaz:
http://www.theses.fr/2017LYSEI015/document
Autor:
Mavel, Amaury
Publikováno v:
Matériaux. Université de Lyon, 2017. Français. ⟨NNT : 2017LYSEI015⟩
Microelectronics encounter growing issues with components miniaturization. Silicon photonics offer to avoid them by taking the photon as the information carrier, but the sources are challenging to make. This thesis thus focused on the realization by
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::825236a5faeed6a699415b256a8adf87
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01920881/file/these.pdf
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01920881/file/these.pdf
Autor:
Halawani, Nour
Ce travail porte sur l'étude du mélange thermodurcissable - thermoplastique (époxyamine / polyetherimide avec séparation de phase) pour évaluer les performances électriques et thermiques. Ces matériaux seraient des nouveaux candidats pour remp
Externí odkaz:
http://www.theses.fr/2017LYSEI010/document
Autor:
Wang, Lin
Ce travail de thèse porte sur l'application des techniques Scanning Capacitance Microscopy (SCM) et Scanning Spreading Resistance Microscopy (SSRM) pour la caractérisation électrique de nanofils de ZnO avec l'objectif d'en déterminer le dopage pa
Externí odkaz:
http://www.theses.fr/2016LYSEI031/document
Autor:
Seiss, Birgit
Dans les technologies d'aujourd'hui, l’épitaxie est une technique indispensable pour la fabrication des composants. Avec la diminution continue de la taille des transistors les objets epitaxiés rétrécissent aussi. Par conséquence, des effets m
Externí odkaz:
http://www.theses.fr/2013ISAL0152
Autor:
Nguyen, Duy Minh
Le carbure de silicium (SiC) possède plusieurs propriétés exceptionnelles comme une large bande interdite, un champ électrique critique et une vitesse de saturation des porteurs élevée pour remplacer le silicium (Si) dans des domaines de foncti
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http://www.theses.fr/2011ISAL0044/document
Autor:
Hcéres, Rapport
Publikováno v:
2011, École nationale supérieure d'ingénieurs de Caen-ENSICAEN, Université de Caen Normandie-UNICAEN, Centre national de la recherche scientifique-CNRS
2016, École nationale supérieure d'ingénieurs de Caen-ENSICAEN, Centre national de la recherche scientifique-CNRS, Université de Caen Normandie-UNICAEN
2016, École nationale supérieure d'ingénieurs de Caen-ENSICAEN, Centre national de la recherche scientifique-CNRS, Université de Caen Normandie-UNICAEN
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::4dbb1c33355bcde12fda8669e13bdc1c
https://hal-hceres.archives-ouvertes.fr/hceres-02034759
https://hal-hceres.archives-ouvertes.fr/hceres-02034759