Zobrazeno 1 - 10
of 621
pro vyhledávání: '"Massabuau P"'
Autor:
Ross Mullen, Joseph W. Roberts, Paul R. Chalker, Rachel A. Oliver, Ben Hourahine, Fabien C. P. Massabuau
Publikováno v:
AIP Advances, Vol 14, Iss 11, Pp 115018-115018-6 (2024)
This study presents a statistically significant investigation of threading dislocations in α-Ga2O3 using high-resolution transmission electron microscopy. All the dislocations, observed end on, exhibit a projected Burgers vector be=13⟨11̄00⟩, w
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/82f59929beec4bc38ebbd61f5953f2e7
Autor:
Cuenca, Jerome A., Smith, Matthew D., Field, Daniel E., Massabuau, Fabien C-P., Mandal, Soumen, Pomeroy, James, Wallis, David J., Oliver, Rachel A., Thayne, Iain, Kuball, Martin, Williams, Oliver A.
Publikováno v:
Carbon 174, 647-661 (2021)
Diamond heat-spreaders for gallium nitride (GaN) devices currently depend upon a robust wafer bonding process. Bonding-free membrane methods demonstrate potential, however, chemical vapour deposition (CVD) of diamond directly onto a III-nitride (III-
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2102.09664
Autor:
Barthel, A., Roberts, J. W., Napari, M., Huq, T. N., Kovács, A., Oliver, R. A., Chalker, P. R., Sajavaara, T., Massabuau, F. C-P.
The suitability of Ti as a band gap modifier for $\alpha$-Ga$_2$O$_3$ was investigated, taking advantage of the isostructural {\alpha}-phases and high band gap difference between Ti$_2$O$_3$ and Ga$_2$O$_3$. Films of Ti:Ga$_2$O$_3$, with a range of T
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2006.01422
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Mohcine Charifi, Razan Khalifa, Bruno W. Giraldes, Mohamedou Sow, Zainab Hizam, Mathieu Carrara, Eric Maneux, Shafeeq Hamza, Anne Bassères, Philippe Blanc, Alexandra Leitão, Jean-Charles Massabuau
Publikováno v:
Frontiers in Marine Science, Vol 10 (2023)
The pearl oyster Pinctada radiata is an iconic species in the Arabian Gulf, which is one of the ecosystems most at risk in the world because of the multiple sources of pollution it faces. Alongside chemical pollution, the Gulf is ranked first with re
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/ecd61435be9f4fca9c24dd1cb0e3ea4f
Autor:
Roberts, J. W., Chalker, P. R., Ding, B., Oliver, R. A., Gibbon, J. T., Jones, L. A. H., Dhanak, V. R., Phillips, L. J., Major, J. D., Massabuau, F. C-P.
Plasma enhanced atomic layer deposition was used to deposit thin films of Ga2O3 on to c-plane sapphire substrates using triethylgallium and O2 plasma. The influence of substrate temperature and plasma processing parameters on the resultant crystallin
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1908.06914
Autor:
Mandal, Soumen, Cuenca, Jerome, Massabuau, Fabien, Yuan, Chao, Bland, Henry, Pomeroy, James W., Wallis, David, Batten, Tim, Morgan, David, Oliver, Rachel, Kuball, Martin, Williams, Oliver A.
Growth of $>$100 $\mu$m thick diamond layer adherent on aluminium nitride is presented in this work. While thick films failed to adhere on untreated AlN films, hydrogen/nitrogen plasma treated AlN films retained the thick diamond layers. Clear differ
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1907.02481
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Nguyen, Minh, Zhu, Tongtong, Kianinia, Mehran, Massabuau, Fabien, Aharonovich, Igor, Toth, Milos, Oliver, Rachel, Bradac, Carlo
Single-photon emitters in gallium nitride (GaN) are gaining interest as attractive quantum systems due to the well-established techniques for growth and nanofabrication of the host material, as well as its remarkable chemical stability and optoelectr
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1811.11914