Optimal width of barrier region in X/γ-ray Schottky diode detectors based on CdTe and CdZnTe.

Autor: Kosyachenko, L. A., Aoki, T., Lambropoulos, C. P., Gnatyuk, V. A., Melnychuk, S. V., Sklyarchuk, V. M., Grushko, E. V., Maslyanchuk, O. L., Sklyarchuk, O. V.

Publikováno v: Journal of Applied Physics; Feb2013, Vol. 113 Issue 5, p054504, 9p, 2 Charts, 8 Graphs

Spectral distribution of photoelectric quantum yield of thin-film Au-CdTe diode structure.

Autor: Grushko, E. V.¹, Maslyanchuk, O. L.¹, Mathew, X.², Motushchuk, V. V.¹, Kosyachenko, L. A.¹ lakos@chv.ukrpack.net, Streltsov, E. A.³

Publikováno v: Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2007, Vol. 10 Issue 4, p15-20. 6p. 7 Graphs.

Special Features of Charge Transport in Schottky Diodes Based on Semi-insulating CdTe.

Autor: Kosyachenko, L. A.¹ lakos@chv.ukrpack.net, Maslyanchuk, O. L.¹, Sklyarchuk, V. M.¹

Publikováno v: Semiconductors. Jun2005, Vol. 39 Issue 6, p722-729. 8p.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Cd1-xMnxTe AS A MATERIAL FOR Õ- AND γ-RAY DETECTORS

Autor: Kosyachenko, L. A., Rarenko, I. M., Sklyarchuk, V. M., Yurtsenyuk, N. S., Maslyanchuk, O. L., Sklyarchuk, O. F., Zakharuk, Z. I., Grushko, E. V.

Publikováno v: Sensor Electronics and Microsystem Technologies; Том 7, № 3 (2010); 74-80
Сенсорная электроника и микросистемные технологии; Том 7, № 3 (2010); 74-80
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології; Том 7, № 3 (2010); 74-80

Досліджено монокристали Cd1-xMnxTe p-типу провідності зі вмістом марганцю 40 % (х = 0.4) на предмет їх застосування в детекторах Х- і γ-випромінюва

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=scientific_p::3c505231040bb64f9e1eea4999a500b5
http://semst.onu.edu.ua/article/view/114584