Zobrazeno 1 - 10
of 41
pro vyhledávání: '"Martinie, Sébastien"'
Autor:
Bourdet, Léo, Pelloux-Prayer, Johan, Triozon, François, Cassé, Mikaël, Barraud, Sylvain, Martinie, Sébastien, Rideau, Denis, Niquet, Yann-Michel
Publikováno v:
Journal of Applied Physics 119, 084503 (2016)
We compute the contact resistances $R_{\rm c}$ in trigate and FinFET devices with widths and heights in the 4 to 24 nm range using a Non-Equilibrium Green's Functions approach. Electron-phonon, surface roughness and Coulomb scattering are taken into
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1602.07545
Publikováno v:
In Solid State Electronics May 2021 179
Autor:
Parihar, Mukta Singh, Lee, Kyung Hwa, Park, Hyung Jin, Lacord, Joris, Martinie, Sébastien, Barbé, Jean-Charles, Xu, Yue, El Dirani, Hassan, Taur, Yuan, Cristoloveanu, Sorin, Bawedin, Maryline
Publikováno v:
In Solid State Electronics May 2018 143:41-48
Autor:
Taur, Yuan, Lacord, Joris, Parihar, Mukta Singh, Wan, Jing, Martinie, Sebastien, Lee, Kyunghwa, Bawedin, Maryline, Barbe, Jean-Charles, Cristoloveanu, Sorin
Publikováno v:
In Solid State Electronics August 2017 134:1-8
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Martinie, Sébastien, Lacord, Joris, Rozeau, Olivier, Parihar, Mukta Singh, Lee, Kyunghwa, Bawedin, Mayline, Cristoloveanu, Sorin, Barbé, Jean-Charles
Publikováno v:
Semiconductor Memories Workshop
Semiconductor Memories Workshop, 47th ESSDERC, Sep 2017, Leuven, Belgium
Semiconductor Memories Workshop, 47th ESSDERC, Sep 2017, Leuven, Belgium
International audience
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::00949c8e322c5d7b3a4377216581d6b2
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02009931
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02009931
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Martinie, Sébastien
Le transistor MOSFET atteint aujourd'hui des dimensions déca nanométriques pour lesquelles les effets de balisticité ne peuvent plus être négligés. Le challenge actuel est d'être capable d'introduire le transport (quasi-)balistique dans la mod