Zobrazeno 1 - 10 of 138 pro vyhledávání: '"Markunas, R. J."'
1
Akademický článek
Low-temperature annealing of As-implanted Ge.
Autor: Hattangady, S. V., Fountain, G. G., Nicollian, E. H., Markunas, R. J.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 1/1/1988, Vol. 63 Issue 1, p68, 7p
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
Remote plasma-enhanced chemical-vapor deposition of epitaxial Ge films.
Autor: Rudder, R. A., Fountain, G. G., Markunas, R. J.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 11/15/1986, Vol. 60 Issue 10, p3519, 4p, 2 Black and White Photographs, 1 Diagram
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Method of fabricating a free-standing diamond single crystal using growth from the vapor phase.
Autor: Posthill, J. B., Malta, D. P., Humphreys, T. P., Hudson, G. C., Thomas, R. E., Rudder, R. A., Markunas, R. J.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 3/1/1996, Vol. 79 Issue 5, p2722, 6p, 7 Black and White Photographs, 1 Graph
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Effect of rf power on remote-plasma deposited SiO2 films.
Autor: Hattangady, S. V., Alley, R. G., Fountain, G. G., Markunas, R. J., Lucovsky, G., Temple, D.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 6/1/1993, Vol. 73 Issue 11, p7635, 8p, 1 Chart, 6 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
The role of an ultrathin silicon interlayer at the SiO2-Ge interface.
Autor: Hattangady, S. V., Mantini, M. J., Fountain, G. G., Rudder, R. A., Markunas, R. J.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 4/15/1992, Vol. 71 Issue 8, p3842, 11p, 1 Chart, 9 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
In situ cleaning of GaAs surfaces using hydrogen dissociated with a remote noble-gas discharge.
Autor: Hattangady, S. V., Rudder, R. A., Mantini, M. J., Fountain, G. G., Posthill, J. B., Markunas, R. J.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 8/1/1990, Vol. 68 Issue 3, p1233, 4p
Zobrazit plný text záznamu
9
Conference
Electron Field Emission from Aluminum Nitride.
Autor: Malta, D. P., Fountain, G. G., Posthill, J. B., Humphreys, T. P., Pettenkofer, C., Markunas, R. J.
Publikováno v: MRS Online Proceedings Library; 1997, Vol. 468 Issue 1, p437-442, 6p
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
The effects of subcutaneous oxidation at the interfaces between elemental and compound semiconductors and SiO2 thin films deposited by remote plasma enhanced chemical vapor deposition.
Autor: Lucovsky, G., Kim, S. S., Tsu, D. V., Fountain, G. G., Markunas, R. J.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics Processing & Phenomena; 1989, Vol. 7 Issue 4, p861-869, 9p
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje