Zobrazeno 1 - 10
of 114
pro vyhledávání: '"Maremyanin, K."'
Autor:
Krishtopenko, S. S., Desrat, W., Spirin, K. E., Consejo, C., Ruffenach, S., Gonzalez-Posada, F., Jouault, B., Knap, W., Maremyanin, K. V., Gavrilenko, V. I., Boissier, G., Torres, J., Zaknoune, M., Tournié, E., Teppe, F.
Publikováno v:
Phys. Rev. B 99, 121405 (2019)
We report on the clear evidence of massless Dirac fermions in two-dimensional system based on III-V semiconductors. Using a gated Hall bar made on a three-layer InAs/GaSb/InAs quantum well, we restore the Landau levels fan chart by magnetotransport a
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1812.02468
Autor:
Yermolayev, D. M., Maremyanin, K. M., Fateev, D. V., Morozov, S. V., Maleev, N. A., Zemlyakov, V. E., Gavrilenko, V. I., Shapoval, S. Yu., Popov, V. V.
We have fabricated a grating-gate InGaAs/GaAs field-effect transistor structure with narrow slits between the grating gate fingers. The resonant photoconductive response of this structure has been measured in the sub-terahertz frequency range. The fr
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1110.1797
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Khabibullin, R. A.1,2 (AUTHOR) khabibullin@isvch.ru, Maremyanin, K. V.3,4 (AUTHOR) kirillm@ipmras.ru, Ponomarev, D. S.1 (AUTHOR), Galiev, R. R.1,2 (AUTHOR), Zaycev, A. A.5 (AUTHOR), Danilov, A. I.6 (AUTHOR), Vasil'evskii, I. S.7 (AUTHOR), Vinichenko, A. N.7 (AUTHOR), Klochkov, A. N.7 (AUTHOR), Afonenko, A. A.8 (AUTHOR), Ushakov, D. V.8 (AUTHOR), Morozov, S. V.3,4 (AUTHOR), Gavrilenko, V. I.3,4 (AUTHOR)
Publikováno v:
Semiconductors. Feb2022, Vol. 56 Issue 2, p71-77. 7p.
Autor:
Rumyantsev, V. V.1 (AUTHOR) rumyantsev@ipm.sci-nnov.ru, Maremyanin, K. V.1 (AUTHOR), Fokin, A. P.2 (AUTHOR), Dubinov, A. A.1 (AUTHOR), Razova, A. A.1 (AUTHOR), Mikhailov, N. N.3 (AUTHOR), Dvoretsky, S. A.3 (AUTHOR), Glyavin, M. Yu.2 (AUTHOR), Gavrilenko, V. I.1 (AUTHOR), Morozov, S. V.1 (AUTHOR)
Publikováno v:
Semiconductors. Oct2021, Vol. 55 Issue 10, p785-789. 5p.
Autor:
Rumyantsev, V. V.1,2 (AUTHOR) rumyantsev@ipm.sci-nnov.ru, Maremyanin, K. V.1,2 (AUTHOR), Razova, A. A.1,2 (AUTHOR), Sergeev, S. M.1 (AUTHOR), Mikhailov, N. N.3 (AUTHOR), Dvoretskii, S. A.3 (AUTHOR), Gavrilenko, V. I.1,2 (AUTHOR), Morozov, S. V.1,2 (AUTHOR)
Publikováno v:
Semiconductors. Sep2020, Vol. 54 Issue 9, p1096-1102. 7p.
Autor:
Maremyanin, K. V.1 (AUTHOR), Parshin, V. V.2 (AUTHOR), Serov, E. A.2 (AUTHOR), Rumyantsev, V. V.1 (AUTHOR) rumyantsev@ipmras.ru, Kudryavtsev, K. E.1 (AUTHOR), Dubinov, A. A.1 (AUTHOR), Fokin, A. P.2 (AUTHOR), Morosov, S. S.3 (AUTHOR), Aleshkin, V. Ya.1 (AUTHOR), Glyavin, M. Yu.2 (AUTHOR), Denisov, G. G.2 (AUTHOR), Morozov, S. V.1 (AUTHOR)
Publikováno v:
Semiconductors. Sep2020, Vol. 54 Issue 9, p1069-1074. 6p.
Autor:
Shalygin, V. A., Moldavskaya, M. D., Vinnichenko, M. Ya., Maremyanin, K. V., Artemyev, A. A., Panevin, V. Yu., Vorobjev, L. E., Firsov, D. A., Korotyeyev, V. V., Sakharov, A. V., Zavarin, E. E., Arteev, D. S., Lundin, W. V., Tsatsulnikov, A. F., Suihkonen, S., Kauppinen, C.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 11/14/2019, Vol. 126 Issue 18, pN.PAG-N.PAG, 11p, 1 Diagram, 7 Graphs
Autor:
Rumyantsev, V. V.1 (AUTHOR) rumyantsev@ipm.sci-nnov.ru, Maremyanin, K. V.1 (AUTHOR), Fokin, A. P.2 (AUTHOR), Dubinov, A. A.1 (AUTHOR), Utochkin, V. V.1 (AUTHOR), Glyavin, M. Yu.2 (AUTHOR), Mikhailov, N. N.3 (AUTHOR), Dvoretskii, S. A.3 (AUTHOR), Morozov, S. V.1 (AUTHOR), Gavrilenko, V. I.1 (AUTHOR)
Publikováno v:
Semiconductors. Sep2019, Vol. 53 Issue 9, p1217-1221. 5p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.