Zobrazeno 1 - 10
of 30
pro vyhledávání: '"Mao, Dacheng"'
Publikováno v:
In Cell Reports Physical Science 20 December 2023 4(12)
Publikováno v:
In iScience 22 November 2019 21:403-412
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
ACS Applied Materials & Interfaces. 9:6661-6665
A top-gated graphene FET with an ultralow 1/f noise level of 1.8 × 10–12 μm2Hz1– (f = 10 Hz) has been fabricated. The noise has the least value at Dirac point, it then increases fast when the current deviates from that at Dirac point, the noise
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::c5b03739567c135c2981c5941e671272
https://doi.org/10.1021/acsami.6b15862
https://doi.org/10.1021/acsami.6b15862
Autor:
Mao Dacheng, Muhammad Asif, Shi Jingyuan, Songang Peng, Xinnan Huang, Zhang Dayong, Zhi Jin, Shaoqing Wang
Publikováno v:
Journal of Materials Science: Materials in Electronics. 27:9847-9852
To understand the hysteresis phenomenon in the transfer characteristic curve of graphene field effect transistor is crucial to develop new graphene based sensors and memory devices. We investigated the hysteresis through a charging and discharging pr
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::dd0fb70c4bcfa4651a92ba94d1aae62c
https://doi.org/10.1007/s10854-016-5052-x
https://doi.org/10.1007/s10854-016-5052-x
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Applied Physics A. 122
The quality of metal–graphene contact has a great influence on the performance of graphene-based electronic devices. In this paper, a simple, fast and accurate method is introduced to evaluate the quality of metal–graphene contact, which is based
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::83c295e3ffb432fa2d42193ff9088275
https://doi.org/10.1007/s00339-016-0152-2
https://doi.org/10.1007/s00339-016-0152-2