Výsledky vyhledávání

The optical and electrical conductivity behavior of materials produced at various pressures was investigated using many physical models. The highest electrical conductivity value of the film was obtained at 799 E(-6) kPa pressure, while the lowest el

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::1aa584a05d8769b597e955d2cfbafcaf
https://doi.org/10.1007/s42247-021-00242-1

Zobrazit plný text záznamu

Structural, Morphological, and Optical Characterization of GaN/p-Si Thin Films for Various Argon Flow Rates

Autor: Asim Mantarcı

Publikováno v: JOM. 72:552-560

2-s2.0-85074731825 A thin film of gallium nitride (GaN) was successfully grown onto p-Si by a radio-frequency (RF) magnetron sputter for different argon flows. X-ray diffraction (XRD) results proved that GaN thin film had a polycrystalline structure

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::204da6d13e560597774e935c130eb536
https://doi.org/10.1007/s11837-019-03878-x

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Comparison of optical, electrical, and surface characteristics of InGaN thin films at non-flow and small nitrogen flow cases

Autor: Asim Mantarcı

Publikováno v: Asim Mantarcı

InGaN films in the non-flow and a small flow of nitrogen cases were fabricated by the RFMS (Radio Frequency Magnetron Sputter) method to compare crucial physical characteristics of its material. From the XRD analysis, application of small nitrogen fl

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::032c3da7ec33986ce2b5d4d506c25cae
https://doi.org/10.1007/s11082-021-03203-4

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání