Zobrazeno 1 - 10
of 37
pro vyhledávání: '"Manna, Bibhas"'
Reliability issues stemming from device level non-idealities of non-volatile emerging technologies like ferroelectric field-effect transistors (FeFET), especially at scaled dimensions, cause substantial degradation in the accuracy of In-Memory crossb
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2312.15444
Autor:
Illarionov, Yury Yu., Knobloch, Theresia, Uzlu, Burkay, Banshikov, Alexander G., Ivanov, Iliya A., Sverdlov, Viktor, Vexler, Mikhail I., Waltl, Michael, Wang, Zhenxing, Manna, Bibhas, Neumaier, Daniel, Lemme, Max C., Sokolov, Nikolai S., Grasser, Tibor
Graphene is a promising material for applications as a channel in graphene field-effect transistors (GFETs) which may be used as a building block for optoelectronics, high-frequency devices and sensors. However, these devices require gate insulators
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2309.11233
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
With ever increasing research on magnetic nano systems it is shown to have great potential in the areas of magnetic storage, biosensing, magnetoresistive insulation etc. In the field of biosensing specifically Spin Valve sensors coupled with Magnetic
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1511.09072
Publikováno v:
In Superlattices and Microstructures January 2015 77:64-75
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Manna, Bibhas1, Acharyya, Snehanjan2, Chakrabarti, Indrajit1, Guha, Prasanta Kumar1 pkguha@ece.iitkgp.ac.in
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. Sep2020, Vol. 67 Issue 9, p3767-3774. 8p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.