Zobrazeno 1 - 10
of 42
pro vyhledávání: '"Manesh, V."'
Autor:
Berens, Judith, Bichelmaier, Sebastian, Fernando, Nathalie K., Thakur, Pardeep K., Lee, Tien-Lin, Mascheck, Manfred, Wiell, Tomas, Eriksson, Susanna K., Kahk, J. Matthias, Lischner, Johannes, Mistry, Manesh V., Aichinger, Thomas, Pobegen, Gregor, Regoutz, Anna
SiC is set to enable a new era in power electronics impacting a wide range of energy technologies, from electric vehicles to renewable energy. Its physical characteristics outperform silicon in many aspects, including band gap, breakdown field, and t
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1912.06592
Autor:
Berens, Judith, Mistry, Manesh V., Waldhör, Dominic, Shluger, Alexander, Pobegen, Gregor, Grasser, Tibor
Publikováno v:
In Microelectronics Reliability December 2022 139
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Judith Berens, Manesh V. Mistry, Dominic Waldhör, Alexander Shluger, Gregor Pobegen, Tibor Grasser
Publikováno v:
Microelectronics Reliability. 139:114789
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::4ae25753388d4edded7987972088f8ba
https://doi.org/10.1016/j.microrel.2022.114789
https://doi.org/10.1016/j.microrel.2022.114789
Autor:
Jonathon Cottom, Manesh V. Mistry, Alexander L. Shluger, Thomas Aichinger, Gernot Gruber, Gregor Pobegen
Publikováno v:
Materials Science Forum. 963:199-203
Electron energy loss spectroscopy (EELS) and ab initio simulations are combined in this study to produce an atomistic interpretation of the interface morphology in lateral 4H-SiC / SiO2 MOSFETs with deposited gate oxides. This allows the question of
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::4ee513a714c07fa9d8d3310a247bb2bc
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.963.199
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.963.199
Autor:
Gregor Pobegen, Al-Moatasem El-Sayed, Manesh V. Mistry, Alexander L. Shluger, Thomas Aichinger, K. Patel, Jonathon Cottom
Publikováno v:
Materials Science Forum. 963:194-198
The NO anneal has been shown to effectively remove 99% of defects in SiC based devices. However, the details of interactions of NO molecules with amorphous (a)-SiO2 and SiC/SiO2 interface are still poorly understood. We use DFT simulations to investi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::2f6765e8e96e5bc738befbbe065c7188
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.963.194
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.963.194
Publikováno v:
Cochrane Database Syst Rev
The Cochrane Library
Scopus-Elsevier
The Cochrane Library
Scopus-Elsevier
BACKGROUND: Fracture of the distal radius is a common clinical problem. A key method of surgical fixation is percutaneous pinning, involving the insertion of wires through the skin to stabilise the fracture. This is an update of a Cochrane Review pub
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::d3b0f2d88419d8f28a431a6f62ae0c25
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/17636827
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/17636827
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Alexander L. Shluger, K. Patel, Manesh V. Mistry, Jonathon Cottom, Gabriele C. Sosso, Gregor Pobegen
Publikováno v:
Modelling and Simulation in Materials Science and Engineering. 29:035008
Nitric oxide (NO) is often used for the passivation of SiC/SiO2 metal oxide semiconductor (MOS) devices. Although it is established experimentally, using XPS, EELS, and SIMS measurements, that the 4H-SiC/SiO2 interface is extensively nitridated, the
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::ffe7b74697092f3d4a57eb39e16e1102
https://doi.org/10.1088/1361-651x/abdc69
https://doi.org/10.1088/1361-651x/abdc69