Study of recrystallization and activation processes in thin and highly doped silicon-on-insulator layers by nanosecond laser thermal annealing.

Autor: Chery, N., Zhang, M., Monflier, R., Mallet, N., Seine, G., Paillard, V., Poumirol, J. M., Larrieu, G., Royet, A. S., Kerdilès, S., Acosta-Alba, P., Perego, M., Bonafos, C., Cristiano, F.

Publikováno v: Journal of Applied Physics; 2/14/2022, Vol. 131 Issue 6, p1-12, 12p

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

InGaAs-OI Substrate Fabrication on a 300 mm Wafer

Autor: Lecestre, A., Mallet, N., Larrieu, G., Sollier, Sebastien, Widiez, Julie, Gaudin, Gweltaz, Mazen, Frédéric, Baron, Thierry, Martin, Mickail, Roure, Marie-Christine, Besson, Pascal, Morales, Christophe, Beche, Elodie, Fournel, Frank, Favier, Sylvie, Salaun, Amelie, Gergaud, Patrice, Cordeau, Maryline, Veytizou, Christellle, Ecarnot, Ludovic, Delprat, Daniel, Radu, Ionut, Signamarcheix, Thomas

Publikováno v: Journal of Low Power Electronics and Applications
Journal of Low Power Electronics and Applications, MDPI, 2016, 6 (4), pp.19
Journal of Low Power Electronics and Applications, 2016, 6 (4), pp.19

International audience

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::c33c921e85ff11de000bdb279d5d472e
https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-01991855

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.