Zobrazeno 1 - 7
of 7
pro vyhledávání: '"Malek, Gary A."'
Autor:
Elliot, Alan J., Malek, Gary A., Lu, Rongtao, Han, Siyuan, Yiu, Haifeng, Zhao, Shiping, Wu, Judy Z.
Atomic Layer Deposition (ALD) is a promising technique for growing ultrathin, pristine dielectrics on metal substrates, which is essential to many electronic devices. Tunnel junctions are an excellent example which require a leak-free, ultrathin diel
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1405.1069
Autor:
Elliot, Alan J., Malek, Gary, Wille, Logan, Lu, Rongtao, Han, Siyuan, Wu, Judy Z., Talvacchio, John, Lewis, Rupert M.
Publikováno v:
IEEE Trans. Appl. Supercond. Vol 23, No. 3, June 2013
Ultrathin dielectric tunneling barriers are critical to Josephson junction (JJ) based superconducting quantum bits (qubits). However, the prevailing technique of thermally oxidizing aluminum via oxygen diffusion produces problematic defects, such as
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1309.4404
Autor:
Klankowski, Steven A., Pandey, Gaind P., Malek, Gary A., Wu, Judy, Rojeski, Ronald A., Li, Jun
Publikováno v:
In Electrochimica Acta 1 October 2015 178:797-805
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Malek, Gary A., Brown, Emery, Klankowski, Steven A., Liu, Jianwei, Elliot, Alan J., Lu, Rongtao, Li, Jun, Wu, Judy
Publikováno v:
ACS Applied Materials & Interfaces; May 2014, Vol. 6 Issue: 9 p6865-6871, 7p