Zobrazeno 1 - 10
of 39
pro vyhledávání: '"Maksimova Alina"'
Autor:
Baranov Artem, Vtorygin Georgii, Uvarov Alexander, Maksimova Alina, Vyacheslavova Ekaterina, Gudovskikh Alexander
Publikováno v:
St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics, Vol 17, Iss 3 (2024)
The study of BP layers and BP/n-Si heterojunctions formed by plasma enhanced chemical deposition on n-Si substrates has been carried out at a temperature of 350 °C using diborane and phosphine. The additional enhancement of hydrogen plasma power was
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/60d318ee8697431db6e0a856a482a7d7
Autor:
Uvarov, Alexander, Gudovskikh, Alexander, Baranov, Artem, Maksimova, Alina, Vyacheslavova, Ekaterina, Kirilenko, Demid
Publikováno v:
In Surface & Coatings Technology 15 February 2024 477
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Bondarenko, Dariya, Gridchin, Vladislav, Kotlyar, Konstantin, Reznik, Rodion, Kirilenko, Demid, Baranov, Artem, Dragunova, Anna, Kryzhanovskaya, Natalia, Maksimova, Alina, Cirlin, George
An approach to the fabrication of LED structure based on GaN nanowires with thick core-shell InGaN insertions with high indium content is studied. The results of optical measurements demonstrate the photoluminescence from the InGaN insertions in the
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1c05fd4d4cd926a0fd604e9c53620845
Autor:
Kiianitsyn, Sergey, Gudovskikh, Alexander, Uvarov, Alexander, Maksimova, Alina, Vyacheslavova, Ekaterina, Baranov, Artem
Plasma-enhanced atomic layer deposition is an attractive method for producing n-GaP layers at low temperatures on p-Si wafers for further photovoltaic application of n-GaP/p-Si heterostructures. In this study, we explore the influence of growth condi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::16583acf5315bb1bfea5b2399820dc47
Autor:
Vyacheslavova, Ekaterina, Uvarov, Alexander, Maksimova, Alina, Baranov, Artem, Gudovskikh, Alexander
The influence of silicon nanowire (SiNWs) geometry on the efficiency of radial p-i-n junction solar cell is studied using experimental measurements. Solar cells based on vertically aligned structures with the SiNWs less than 10 µm in height are prac
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::93682b0d1bbef0746a0ae8c8b586accb
Autor:
Vyacheslavova, Ekaterina, Uvarov, Alexander, Neplokh, Vladimir, Maksimova, Alina, Baranov, Artem, Gudovskikh, Alexander
Photovoltaic properties of hybrid solar cells based on poly-(3,4 ethylenedioxythiophene): polystyrene sulfonate (PEDOT:PSS) and Si nanowires (SiNWs) are studied. High values of the open circuit voltage (VOC) and external quantum efficiency (EQE) at s
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5d1a802e4d491e113a0e642124025dc2
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.