Zobrazeno 1 - 10
of 79
pro vyhledávání: '"Maize, Kerry"'
Publikováno v:
In Microelectronics Reliability September 2023 148
Infrared (IR) imaging has become a viable tool for visualizing various chemical bonds in a specimen. The performance, however, is limited in terms of spatial resolution and imaging speed. Here, instead of measuring the loss of the IR beam, we utilize
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1811.07405
Thermodynamic Studies of \b{eta}-Ga2O3 Nanomembrane Field-Effect Transistors on a Sapphire Substrate
Publikováno v:
ACS Omega, 2017, 2, 7723-7729
The self-heating effect is a severe issue for high-power semiconductor devices, which degrades the electron mobility and saturation velocity, and also affects the device reliability. On applying an ultrafast and high-resolution thermoreflectance imag
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1711.03672
Autor:
Si, Mengwei, Su, Chun-Jung, Jiang, Chunsheng, Conrad, Nathan J., Zhou, Hong, Maize, Kerry D., Qiu, Gang, Wu, Chien-Ting, Shakouri, Ali, Alam, Muhammad A., Ye, Peide D.
Publikováno v:
Nature Nanotechnology 13, 24-28 (2018)
The so-called Boltzmann Tyranny defines the fundamental thermionic limit of the subthreshold slope (SS) of a metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET) at 60 mV/dec at room temperature and, therefore, precludes the lowering of the sup
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1704.06865
Publikováno v:
Applied Physics Letters, 111, 092102 (2017)
We have demonstrated that depletion/enhancement-mode b-Ga2O3 on insulator field-effect transistors can achieve a record high drain current density of 1.5/1.0 A/mm by utilizing a highly doped b-Ga2O3 nano-membrane as the channel. b-Ga2O3 on insulator
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1703.06197
Autor:
Alajlouni, Sami, Lara Ramos, David Alberto, Maize, Kerry, Pérez, Nicolás, Nielsch, Kornelius, Schierning, Gabi, Shakouri, Ali
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 2022, Vol. 131 Issue 18, p1-13, 13p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Advanced Materials Technologies; Jan2023, Vol. 8 Issue 2, p1-30, 30p