Zobrazeno 1 - 10 of 18 pro vyhledávání: '"Mahowald, P. H."'
1
Akademický článek
A substrate doping variation study of the pinning states at metal/GaAs(110) interfaces.
Autor: Miyano, K. E., Cao, R., Kendelewicz, T., Spindt, C. J., Mahowald, P. H., Lindau, I., Spicer, W. E.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics Processing & Phenomena; 1988, Vol. 6 Issue 4, p1403-1408, 6p
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
Chemical reaction and Schottky barrier formation at the Ti/InP(110) and Sn/InP(110) interfaces: Reactive versus nonreactive cases.
Autor: Kendelewicz, Tom, Mahowald, P. H., McCants, C. E., Bartness, K. A., Lindau, I., Spicer, W. E.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics Processing & Phenomena; 1987, Vol. 5 Issue 4, p1033-1038, 6p
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Valence-band discontinuity at the Ge/InP(110) interface.
Autor: Mahowald, P. H., Kendelewicz, Tom, Bertness, K. A., McCants, C. E., Williams, M. D., Spicer, William E.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics Processing & Phenomena; 1987, Vol. 5 Issue 4, p1258-1262, 5p
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Chemical and electronic properties of the Pt/GaAs(110) interface.
Autor: McCants, C. E., Kendelewicz, Tom, Bertness, K. A., Mahowald, P. H., Williams, M. D., List, R. S., Lindau, I., Spicer, William E.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics Processing & Phenomena; 1987, Vol. 5 Issue 4, p1068-1074, 7p
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Al on GaAs(110) revisited: Kinetic considerations.
Autor: Williams, M. D., Chin, K. K., McCants, C. E., Mahowald, P. H., Spicer, W. E.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics Processing & Phenomena; 1986, Vol. 4 Issue 4, p939-942, 4p
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Oxygen chemisorption on GaAs(110): Surface or subsurface growth?
Autor: Bertness, K. A., Friedman, D. J., Mahowald, P. H., Yeh, J. J., Wahi, A. K., Lindau, I., Spicer, W. E.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics Processing & Phenomena; 1986, Vol. 4 Issue 4, p1102-1108, 7p
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Heterojunction band discontinuity at the Si-Ge(111) interface.
Autor: Mahowald, P. H., List, R. S., Spicer, W. E., Woicik, J., Pianetta, P.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics Processing & Phenomena; 1985, Vol. 3 Issue 4, p1252-1255, 4p
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
Aluminum Schottky barrier formation on arsenic capped and heat cleaned MBE GaAs(100).
Autor: Eglash, Stephen J., Williams, M. D., Mahowald, P. H., Newman, Nathan, Lindau, Ingolf, Spicer, W. E.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics Processing & Phenomena; 1984, Vol. 2 Issue 3, p481-485, 5p
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
The effect of surface oxygen on the intermixing and Schottky barrier at GaAs(110)-Au interfaces.
Autor: Lü, Z. M., Petro, W. G., Mahowald, P. H., Oshima, M., Lindau, I., Spicer, W. E.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics Processing & Phenomena; 1983, Vol. 1 Issue 3, p598-601, 4p
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Chemical and electrical properties at the annealed Ti/GaAs(110) interface.
Autor: McCants, C. E., Kendelewicz, T., Mahowald, P. H., Bertness, K. A., Williams, M. D., Newman, N., Lindau, I., Spicer, W. E.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part A-Vacuums, Surfaces & Films; 1988, Vol. 6 Issue 3, p1466-1472, 7p
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje