Zobrazeno 1 - 10 of 130 pro vyhledávání: '"Maes, H. E."'
1
Akademický článek
Transient enhanced diffusion of boron in Si.
Autor: Jain, S. C., Schoenmaker, W., Lindsay, R., Stolk, P. A., Decoutere, S., Willander, M., Maes, H. E.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 6/1/2002, Vol. 91 Issue 11, p8919, 23p, 2 Black and White Photographs, 3 Diagrams, 5 Charts, 32 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
High-temperature H2 anneal of interface defects in electron-beam-irradiated MNOS structures.
Autor: Schols, G. A., Maes, H. E., Van Overstraeten, R. J.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Jun1980, Vol. 51 Issue 6, p3194-3197, 4p
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Incorporation of nitrogen in Si3N4-capped silicon by cw Ar+-laser melting.
Autor: Willems, G. J., Maes, H. E.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 10/15/1993, Vol. 74 Issue 8, p5185, 11p
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Explosive crystallization of amorphous Si3N4 films on silicon during silicon laser melting.
Autor: Willems, G. J., Wouters, D. J., Maes, H. E.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 10/15/1993, Vol. 74 Issue 8, p5196, 7p
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Process-induced mechanical stress in isolation structures studied by micro-Raman spectroscopy.
Autor: De Wolf, I., Norström, H., Maes, H. E.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 10/1/1993, Vol. 74 Issue 7, p4490, 11p, 1 Black and White Photograph, 1 Diagram, 1 Chart, 13 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Analytical model for the out-diffusion of an exponentially decaying impurity profile. Application to nitrogen in silicon.
Autor: Willems, G. J., Maes, H. E.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 4/1/1993, Vol. 73 Issue 7, p3256, 5p, 5 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
Oxygen distribution in silicon-on-insulator layers obtained by zone melting recrystallization.
Autor: Mertens, P. W., Leclair, J., Maes, H. E., Vandervorst, W.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 6/15/1990, Vol. 67 Issue 12, p7337, 11p, 1 Diagram, 7 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
A semiempirical model for the laser-induced molten zone in the laser recrystallization process. II.
Autor: Willems, G. J., Maes, H. E.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 2/1/1990, Vol. 67 Issue 3, p1219, 10p, 2 Charts, 10 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Hydrogen as the cause of pit formation during laser recrystallization of silicon-on-insulator films.
Autor: Willems, G. J., Maes, H. E.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 11/1/1989, Vol. 66 Issue 9, p4444, 12p
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje