Zobrazeno 1 - 10
of 15
pro vyhledávání: '"Madia, Oreste"'
Autor:
Madia, Oreste
Further advance of the microelectronic devices performance will soon require the use of a semiconducting materials with charge carrier mobilities significantly higher than those in silicon. Among the feasible conditions, Ge has repeatedly been indica
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______1131::b409c40ea1f24a06ea02defce1231546
https://lirias.kuleuven.be/handle/123456789/546277
https://lirias.kuleuven.be/handle/123456789/546277
Autor:
Madia, Oreste, Afanas'ev, Valeri, Cott, Daire, Arimura, Hiroaki, Schulte-Braucks, Christian, Lin, HC, Buca, Dan, Von Den Driesch, N, Nyns, Laura, Ivanov, T, Cuypers, D, Stesmans, A, Stesmans, Andre
The presence of large densities of electrically active defects is still an unsolved issue for future high-mobility/high-k CMOS device technologies. This relates to degraded device performance and reliability.Regrettably, conventional admittance-based
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::804018da6a6894fca636d13090a04898
https://lirias.kuleuven.be/handle/123456789/516548
https://lirias.kuleuven.be/handle/123456789/516548
Autor:
Madia, Oreste, Segercrantz, N, Afanas'ev, Valeri, Stesmans, Andre, Souriau, L, Slotte, J, Tuomisto, F
© 2014 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim. In this work, we address the charge trapping properties of Ge dangling bond (DB) defects - GePb1 centers as typified by electron spin resonance spectroscopy (ESR) - found at the interfaces between c
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::6077defd9ee5fa4f8cb125a24dabc92a
https://aaltodoc.aalto.fi/handle/123456789/33576
https://aaltodoc.aalto.fi/handle/123456789/33576
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Kolomiiets, Nadiia M., Afanas'ev, Valery V., Madia, Oreste, Cott, Daire J., Collaert, Nadine, Thean, Aaron, Stesmans, Andre
Publikováno v:
Physica Status Solidi (C); Dec2016, Vol. 13 Issue 10-12, p855-859, 5p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Gupta, Somya, Simoen, Eddy, Loo, Roger, Madia, Oreste, Lin, Dennis, Merckling, Clement, Shimura, Yosuke, Conard, Thierry, Lauwaert, Johan, Vrielinck, Henk, Heyns, Marc
Publikováno v:
ACS Applied Materials & Interfaces; June 2016, Vol. 8 Issue: 21 p13181-13186, 6p
Publikováno v:
ECS Transactions; August 2014, Vol. 64 Issue: 8 p17-22, 6p
Autor:
Afanas'ev, Valery V, Wang, Wan Chih, Cerbu, Florin, Madia, Oreste, Houssa, Michel, Stesmans, Andre
Publikováno v:
ECS Transactions; August 2014, Vol. 64 Issue: 8