Zobrazeno 1 - 10 of 31 pro vyhledávání: '"Madia, O."'
2
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
3
Akademický článek
Dangling bond defects in silicon-passivated strained-Si1−xGex channel layers.
Autor: Madia, O., Kepa, J., Afanas'ev, V. V., Franco, J., Kaczer, B., Hikavyy, A., Stesmans, A.
Publikováno v: Journal of Materials Science: Materials in Electronics; Jan2020, Vol. 31 Issue 1, p75-79, 5p
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
6
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
7
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
8
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
9
Akademický článek
Intrinsic electron traps in atomic-layer deposited HfO2 insulators.
Autor: Cerbu, F., Madia, O., Andreev, D. V., Fadida, S., Eizenberg, M., Breuil, L., Lisoni, J. G., Kittl, J. A., Strand, J., Shluger, A. L., Afanas'ev, V. V., Houssa, M., Stesmans, A.
Publikováno v: Applied Physics Letters; 5/30/2016, Vol. 108 Issue 22, p222901-1-222901-5, 5p, 5 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
10
Conference
Experimental characterization of BTI defects.
Autor: Kaczer, B., Afanas'ev, V. V., Rott, K., Cerbu, F., Franco, J., Goes, W., Grasser, T., Madia, O., Nguyen, A. P. D., Stesmans, A., Reisinger, H., Toledano-Luque, M., Weckx, P.
Publikováno v: 2013 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes & Devices (SISPAD); 2013, p444-450, 7p
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje