Zobrazeno 1 - 5 of 5 pro vyhledávání: '"Mader, S. R."'
1
Akademický článek
Declustering and melting threshold study in laser irradiated Si(As).
Autor: Rimini, E., Chu, W. K., Mader, S. R.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; May1981, Vol. 52 Issue 5, p3696-3699, 4p
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
Effects of a stress field on boron ion implantation damage in silicon.
Autor: Mis, J. D., Mader, S. R., Beshers, D. N.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 8/15/1993, Vol. 74 Issue 4, p2294, 6p, 4 Diagrams, 6 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
The poly-single crystalline silicon interface.
Autor: Wong, C. Y., Michel, A. E., Isaac, R. D., Kastl, R. H., Mader, S. R.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Feb1984, Vol. 55 Issue 4, p1131-1134, 4p
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Channeling in low energy boron ion implantation.
Autor: Michel, A. E., Kastl, R. H., Mader, S. R., Masters, B. J., Gardner, J. A.
Publikováno v: Applied Physics Letters; 1984, Vol. 44 Issue 4, p404-406, 3p
Zobrazit plný text záznamu
5
Conference
Short Time annealing of As and B Ion Implanted Si using Tungsten-Halogen Lamps.
Autor: Sedgwick, T. O., Kalish, R., Mader, S. R., Shatas, S. C.
Publikováno v: MRS Online Proceedings Library; 01/11/1983, Vol. 23, pN.PAG-1, 1p
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje