Zobrazeno 1 - 10
of 31
pro vyhledávání: '"Madan, Anuj"'
Autor:
Madan, Anuj
The objective of the proposed research is to understand the design and reliability of RF front-end building blocks using SOI CMOS and SiGe BiCMOS technologies for high dynamic-range applications. This research leads to a comprehensive understanding o
Externí odkaz:
http://hdl.handle.net/1853/45853
Autor:
Madan, Anuj
The objective of proposed research is to investigate the potential of strained silicon and silicon-germanium (SiGe) based devices for RF/mixed-signal applications. Different device topologies, namely strained buried channel modulation doped field eff
Externí odkaz:
http://hdl.handle.net/1853/24758
Autor:
Madan, Anuj.
Publikováno v:
Available online, Georgia Institute of Technology.
Thesis (M. S.)--Electrical and Computer Engineering, Georgia Institute of Technology, 2008.
Committee Chair: John D. Cressler; Committee Member: John Papapolymerou; Committee Member: Shyh-Chiang Shen.
Committee Chair: John D. Cressler; Committee Member: John Papapolymerou; Committee Member: Shyh-Chiang Shen.
Externí odkaz:
http://hdl.handle.net/1853/24758
Publikováno v:
In Solid State Electronics 2009 53(8):901-904
Strain optimization in ultrathin body transistors with silicon-germanium source and drain stressors.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; Oct2008, Vol. 104 Issue 8, p084505, 5p, 3 Diagrams, 6 Graphs
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Madan, Anuj1 madan@ece.gatech.edu, Verma, Rohan1 rohan.verma@gatech.edu, Arora, Rajan2 arora@ece.gatech.edu, Wilcox, Edward P.1 twilcox@ece.gatech.edu, Cressler, John D.1 cressler@ece.gatech.edu, Marshall, Paul W.3 pwmarshall@aol.com, Schrimpf, Ronald D.2 ron.schrimpf@vanderbilt.edu, Cheng, Peter F.4 peter.cheng@jpl.nasa.gov, Del Castillo, Linda Y.4 linda.y.delcastillo@jpl.nasa.gov, Qingqing Liang5 qinliang@us.ibm.com, Freeman, Greg5 freeman@us.ibm.com
Publikováno v:
IEEE Transactions on Nuclear Science. Dec2009 Part 1 of 2, Vol. 56 Issue 6, p3256-3261. 6p.
Autor:
Madan, Anuj1 madan@ece.gatech.edu, Phillips, Stanley D.1, Cressler, John D.1, Marshall, Paul W.2, Qingqing Liang3, Freeman, Greg3
Publikováno v:
IEEE Transactions on Nuclear Science. Aug2009 Part 2 of 3, Vol. 56 Issue 4, p1914-1924. 11p. 8 Graphs.