Zobrazeno 1 - 10
of 17
pro vyhledávání: '"Machhadani, Houssaine"'
Autor:
Machhadani, Houssaine, Beeler, M, Sakr, S, Warde, E, Kotsar, Y, Tchernycheva, M, Chauvat, M P., Ruterana, P, Nataf, G, De Mierry, Ph, Monroy, E, Julien, F H.
We report on the observation of intersubband absorption in GaN/AlN quantum well superlattices grown on (112)-oriented GaN. The absorption is tuned in the 1.5–4.5 μm wavelength range by adjusting the well thickness. The semipolar samples are compar
Externí odkaz:
http://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:liu:diva-93977
Autor:
Machhadani, Houssaine, Zichi, Julien, Bougerol, Catherine, Lequien, Stéphane, Thomassin, Jean-Luc, Mollard, Nicolas, Mukhtarova, Anna, Zwiller, Val, Gérard, Jean-Michel, Monroy, Eva
Publikováno v:
Supercond. Sci. Technol. 32 (2019) 035008
In this paper, we study the impact of using III-nitride semiconductors (GaN, AlN) as substrates for ultrathin (11 nm) superconducting films of NbTiN deposited by reactive magnetron sputtering. The resulting NbTiN layers are (111)-oriented, fully rela
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1810.04070
Autor:
Machhadani, Houssaine
Les transitions intersousbandes dans les hétérostructures de nitrure d’éléments III ont été intensément étudiées dans le proche infrarouge pour des applications télécoms. L’accordabilité dans le proche infrarouge est rendu possible gr
Externí odkaz:
http://www.theses.fr/2011PA112020/document
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Chalangar, Ebrahim, Machhadani, Houssaine, Lim, Seung-Hyuk, Karlsson, K. Fredrik, Nur, Omer, Willander, Magnus, Pettersson, Håkan
The development of future 3D-printed electronics relies on the access to highly conductive inexpensive materials that are printable at low temperatures (amp;lt;100 degrees C). The implementation of available materials for these applications are, howe
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::3f009a09e2e386a38e395a99028dd4bc
http://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:liu:diva-150196
http://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:liu:diva-150196
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Machhadani, Houssaine
Publikováno v:
Autre [cond-mat.other]. Université Paris Sud-Paris XI, 2011. Français. ⟨NNT : 2011PA112020⟩
Most of the research on GaN-based intersubband transitions has been focused on near-infrared applications, benefiting from the large conduction band offset between GaN and AlN1.75 eV. Devices such as all-optical switches, electro-optical modulators,
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______212::76f160a4b1d6d1ed24e8f2d59da161a5
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00591962/document
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00591962/document
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.