Zobrazeno 1 - 10 of 36 pro vyhledávání: '"Machala, C."'
1
Conference
SCM and SSRM Study on Boron Penetration and SSR Channel Formation in Sub-100nm MOSFETs.
Autor: Wang, Y. G., Bu, H., Adam, L., Wu, J., Chen, Y., Liu, K., Zhao, S., Tang, S., Scott, D. B., Machala, C., Rost, T., Edwards, H.
Publikováno v: AIP Conference Proceedings; 2005, Vol. 788 Issue 1, p270-274, 5p
Zobrazit plný text záznamu
2
Conference
Investigation and Modeling of Fluorine Co-Implantation Effects on Dopant Redistribution.
Autor: Diebel, M., Chakravarthi, S., Dunham, S. T., Machala, C. F., Ekbote, S., Jain, A.
Publikováno v: MRS Online Proceedings Library; 2003, Vol. 765 Issue 1, p1-6, 6p
Zobrazit plný text záznamu
3
Conference
A 1.2V low leakage low cost 90 nm CMOS wireless technology with a 60 nm transistor gate length.
Autor: Yang, S., Pollack, G., Wang, X., Potla, S., Baldwin, G., Chen, F., Mehrad, F., Tran, T., Sadra, K., Chidambaram, P.R., Chakravarthi, S., Bowen, C., Wells, G., Olsen, L., Wu, J., Houston, T., Machala, C., Johnson, S.
Publikováno v: 2003 International Symposium on VLSI Technology, Systems & Applications. Proceedings of Technical Papers. (IEEE Cat. No.03TH8672); 2003, p101-104, 4p
Zobrazit plný text záznamu
4
Conference
Characterization of Zener-tunneling drain leakage current in high-dose halo implants.
Autor: Chang-Hoon Choi, Shyh-Horng Yang, Pollack, G., Ekbote, S., Chidambaram, P.R., Johnson, S., Machala, C., Dutton, R.W.
Publikováno v: International Conference on Simulation of Semiconductor Processes & Devices, 2003. SISPAD 2003; 2003, p133-136, 4p
Zobrazit plný text záznamu
5
Conference
Monte Carlo simulation of consecutive implants into SiO2 capped Si.
Autor: Di Li, Shyh-Horng Yang, Machala, C., Li Lin, Tasch, Al.F., Hornung, B., Li-Fatou, A., Banerjee, S.K.
Publikováno v: International Conference on Simulation of Semiconductor Processes & Devices; 2002, p217-220, 4p
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
7
Conference
Predictive BSIM3v3 modeling for the 0.15-0.18 /spl mu/m CMOS technology node: a process DOE based approach.
Autor: Vasanth, K., Krick, J., Unnikrishnan, S., Nandakumar, M., Jacobs, J., Ehnis, P., Green, K., Machala, C., Vrotsos, T.
Publikováno v: International Electron Devices Meeting 1999 Technical Digest (Cat No99CH36318); 1999, p353-356, 4p
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
Dopant diffusion modeling for heteroepitaxial SiGe/Si devices.
Autor: Chakravarthi, S., Chidambaram, P. R., Machala, C. F., Mansoori, M.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics & Nanometer Structures; Mar/Apr2006, Vol. 24 Issue 2, p608-612, 5p, 1 Diagram, 2 Charts, 8 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
Study on poly depletion in sub-0.1 μm metal-oxide-semiconductor field effect transistors by scanning capacitance microscopy.
Autor: Wang, Y. G., Edwards, H., Ukraintsev, V., Wu, J., Chen, J., Waller, J., Woodall, D., Scott, D. B., Machala, C., Ekbote, S., Tsao, A.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics & Nanometer Structures; 2004, Vol. 22 Issue 1, p381-384, 4p
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Effect of nitride sidewall spacer process on boron dose loss in ultrashallow junction formation.
Autor: Kohli, P., Jain, Amitabh, Bu, H., Chakravarthi, S., Machala, C., Dunham, S. T., Banerjee, S. K.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics & Nanometer Structures; 2004, Vol. 22 Issue 1, p471-476, 6p
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje