Výsledky vyhledávání - "MacMillan, Michael F."

Periodical

Improved Uniformity of Silicon Carbide Epitaxy Grown in a High-Volume Multi-Cassette Epitaxy Reactor

Autor: MacMillan, Michael F., Oldham, Tim, Rengarajan, V., Wu, Ping

Publikováno v: Materials Science Forum; June 2018, Vol. 924 Issue: 1 p92-95, 4p

Zobrazit plný text záznamu

Conference

Doping engineering to enhance performance of a silicon carbide power device.

Autor: Radhakrishnan, Rahul, MacMillan, Michael F., Woodin, Richard L.

Publikováno v: 2016 IEEE 4th Workshop on Wide Bandgap Power Devices & Applications (WiPDA); 2016, p105-107, 3p

Zobrazit plný text záznamu

Conference

Studies of c-Axis Threading Screw Dislocations in Hexagonal SiC.

Autor: Chen, Yi, Huang, Xianrong, Zhang, Ning, Dhanaraj, Govindhan, Sanchez, Edward, MacMillan, Michael F., Dudley, Michael

Publikováno v: MRS Online Proceedings Library; 2008, Vol. 1069 Issue 1, p1-6, 6p

Zobrazit plný text záznamu

Conference

Stress Mapping of SiC Wafers by Synchrotron White Beam X-ray Reticulography.

Autor: Zhang, Ning, Chen, Yi, Sanchez, Edward, MacMillan, Michael F., Dudley, Michael

Publikováno v: MRS Online Proceedings Library; 2008, Vol. 1069 Issue 1, p1-6, 6p

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Akademický článek

Simulation of Grazing-Incidence Synchrotron White Beam X-ray Topographic Images of Micropipes in 4H-SiC and Determination of Their Dislocation Senses.

Autor: Yi Chen, Dudley, Michael, Sanchez, Edward K., Macmillan, Michael F.

Publikováno v: Journal of Electronic Materials; May2008, Vol. 37 Issue 5, p713-720, 8p, 1 Black and White Photograph, 5 Diagrams

Zobrazit plný text záznamu