Zobrazeno 1 - 10
of 973
pro vyhledávání: '"MOS-TRANSISTORS"'
Autor:
Masu, Kazuya, Amakawa, Shuhei
This book by two leading experts on integrated circuit design adopts an untraditional approach to introducing semiconductor devices to beginners. The authors use circuit theory to provide a digestible explanation of energy band theory and understandi
Externí odkaz:
https://library.oapen.org/handle/20.500.12657/94157
Autor:
F. E. Bergamaschi, M. A. Pavanello
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 10, Pp 452-458 (2022)
This work presents an analysis of the application of active substrate bias (or back bias) on the charge transport properties of n-type $\boldsymbol{\Omega }$ -gate SOI nanowire MOS transistors with thin buried oxide (BOX) and variable fin width. Addi
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/ce04dfe3525342ae84450d451083c8ca
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IET Circuits, Devices and Systems, Vol 11, Iss 6, Pp 589-596 (2017)
A 10‐bit pipelined analogue‐to‐digital converter (ADC) at a sampling rate of 100 MS/s utilising only metal–oxide–semiconductor (MOS) transistors is presented and designed in 1.8 V 0.18 μm standard digital complementary MOS (CMOS) n‐well
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/98f9e2fb614f4adb9abf5febac2b1c23
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Górecki, Pawel, Górecki, Krzysztof
Publikováno v:
Microelectronics International, 2016, Vol. 33, Issue 3, pp. 176-180.
Externí odkaz:
http://www.emeraldinsight.com/doi/10.1108/MI-02-2016-0010
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices, 68(2):9305941, 497-502. IEEE
Quantification of interface traps for double-gate fully depleted silicon-on-insulator transistors is needed for accurate device modeling and technology development. The trap density can be estimated as a function of the activation energy from the sub
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::0b4799699675d932c9a047238eeecb63
http://www.scopus.com/inward/record.url?scp=85098787528&partnerID=8YFLogxK
http://www.scopus.com/inward/record.url?scp=85098787528&partnerID=8YFLogxK
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.