Zobrazeno 1 - 10
of 555
pro vyhledávání: '"MOS structures"'
Publikováno v:
Tạp chí Khoa học Đại học Huế: Khoa học Tự nhiên, Vol 129, Iss 1D, Pp 71-75 (2020)
This paper presents the change in the volt-farad characteristics of the Al/SiO2/n-Si structure irradiated with helium ions with the energy of 5 MeV in the frequencies of 1, 10, 100, and 1000 kHz. The voltage dependence of the capacitance and the freq
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/2a4a0f2548f7409c8f16d4914bb9227c
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Eunjung Ko, Jung-Hae Choi
Publikováno v:
Materials Research Express, Vol 9, Iss 4, p 045005 (2022)
Recently, to improve the performance of an integrated metal-oxide-semiconductor (MOS) device, an attempt has been made in the industry to replace the amorphous oxide with a crystalline oxide. However, various characteristics caused by the difference
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/ebe31cf073d348b0b1c187eee6f4a316
Publikováno v:
Materials Research Express, Vol 9, Iss 3, p 035003 (2022)
Non-volatile resistive random-access memory (RRAM) is being promoted as a possible alternative to flash memory, however the optimal material system and sophisticated fabrication techniques hinder its utilization in practical routes. Here, we demonstr
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/5aae8601246748b1b6b0302dfd8ccc53
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Bury, Peter, Hardon, Stefan, Matsumoto, Taketoshi, Bellan, Ivan, Janek, Marian, Kobayashi, Hikaru
Publikováno v:
Komunikácie - vedecké listy Žilinskej univerzity v Žiline / Communications - Scientific Letters of the University of Žilina. 16(1):3-9
Externí odkaz:
https://www.ceeol.com/search/article-detail?id=1122599
Publikováno v:
Communications, Vol 16, Iss 1, Pp 3-9 (2014)
The set of MOS structures formed on n-type Si substrate with (NAOS)-SiO2/HfO2 gate dielectric layers was prepared and annealed in N2 atmosphere at various temperatures to stabilize the structure and to decrease the interface states density. Two Acous
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/d142f83d7ad8407dba485bc09774a96c
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Open Physics, Vol 9, Iss 1, Pp 242-249 (2011)
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/e5c9bbc9e67545339763ef5ae968e862
Autor:
Bury Peter, Kobayashi Hikaru, Takahashi Masao, Imamura Kentaro, Sidor Peter, Černobila František
Publikováno v:
Open Physics, Vol 7, Iss 2, Pp 237-241 (2009)
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/ebfcd0500fe74f98b29d73d3ced0150c