Zobrazeno 1 - 10
of 42
pro vyhledávání: '"MOS field effect transistor"'
Publikováno v:
Advanced Intelligent Systems, Vol 6, Iss 6, Pp n/a-n/a (2024)
A fully depleted silicon‐on‐insulator (FDSOI) metal‐oxide‐semiconductor field‐effect transistors (MOSFETs) device is investigated as for an electronic synapse emulating the synaptic functions of the human brain with stable characteristics.
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/3a59a25660ce466ba5391b27ce67b034
Publikováno v:
Energies, Vol 16, Iss 12, p 4644 (2023)
Flywheels are nowadays a solution for the dynamic charging of electric vehicles since they act as transient energy storage. The need for a top efficient reversible power converter for the flywheel system is crucial to assure high dynamic performance.
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/a22c4f886184438ab54a05d517986ddb
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Flywheels are nowadays a solution for the dynamic charging of electric vehicles since they act as transient energy storage. The need of a top efficient reversible power converter for the flywheel system is crucial to assure high dynamic performance.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_____10369::7c9d7d25ae452ff0f03ecbfaddf6a64b
https://hal.univ-lorraine.fr/hal-03679367
https://hal.univ-lorraine.fr/hal-03679367
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
近畿大学工業高等専門学校研究紀要 = Research reports Kindai University Technical College. 9:31-34
The production of new Large Scaled Integrated Circuit has been started using 3-dimensional FinFET. FinFET has been proposed and studied for long time in Fin-shaped Si layer using SOI substrate. But, the structure of new production adopted is Bulk-typ
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=jairo_______::a394c21c68dae0b3265ea1c574c5e817
http://id.nii.ac.jp/1391/00018178/
http://id.nii.ac.jp/1391/00018178/
Autor:
Goguenheim, Didier
Ce manuscrit expose des travaux effectués entre 1994 et 2004 sur la fiabilité des composants à base de structures MOS et la fiabilité des oxydes ultra-minces de SiO2 (Nos études sur les porteurs chauds nous ont aussi amené à étudier la fiabil
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.