Zobrazeno 1 - 10 of 1 755 pro vyhledávání: '"MOS field effect transistor"'
1
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
2
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
4
Akademický článek
Terahertz Wave Generation and Detection Analysis of Silicon Nanowire MOS Field-Effect Transistor.
Autor: Yu Chen1,2 eechenyu@pku.edu.cn, Jin He1,2 frankhe@pku.edu.cn, Yinglei Wang1 wang00648213@126.com, Xinnan Lin2 xnlin@szpku.edu.cn, Lining Zhang1 liningzhang@pku.edu.cn, Mansun Chan3 mchan@ust.hk
Publikováno v: IETE Technical Review. 2009, Vol. 26 Issue 6, p430-439. 10p. 2 Diagrams, 5 Graphs.
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
DC characterization of 4H-SiC depletion mode MOS field effect transistor
Autor: Zhao, P., Rusli, Zhu, C.L., Wang, H., Tin, C.C.
Publikováno v: In Solid State Electronics 2006 50(3):384-387
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
9
Akademický článek
Synaptic Characteristics of Fully Depleted Silicon‐on‐Insulator Metal‐Oxide‐Semiconductor Field‐Effect Transistors and Synapse‐Neuron Arrayed Neuromorphic Hardware System
Autor: Yu‐Rim Jeon, Jeong‐Hoon Kim, Deji Akinwande, Changhwan Choi
Publikováno v: Advanced Intelligent Systems, Vol 6, Iss 6, Pp n/a-n/a (2024)
A fully depleted silicon‐on‐insulator (FDSOI) metal‐oxide‐semiconductor field‐effect transistors (MOSFETs) device is investigated as for an electronic synapse emulating the synaptic functions of the human brain with stable characteristics.
Externí odkaz: https://doaj.org/article/3a59a25660ce466ba5391b27ce67b034
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje