Zobrazeno 1 - 10
of 54
pro vyhledávání: '"MOS channel"'
Publikováno v:
Micromachines, Vol 14, Iss 7, p 1282 (2023)
A novel split-gate SiC MOSFET with an embedded MOS-channel diode for enhanced third-quadrant and switching performances is proposed and studied using TCAD simulations in this paper. During the freewheeling period, the MOS-channel diode with a low pot
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/0796e1e6cd4b4e0a9ef29f729c22c649
Publikováno v:
Micromachines, Vol 14, Iss 5, p 950 (2023)
In this paper, a 4H-SiC lateral gate MOSFET incorporating a trench MOS channel diode at the source side is explored to improve the reverse recovery characteristics. In addition, a 2D numerical simulator (ATLAS) is used to investigate the electrical c
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/b5447a8bea5c43219e447eb8c0db6e57
Publikováno v:
Energies, Vol 15, Iss 19, p 6960 (2022)
Built-in freewheeling diode metal–oxide–semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) that ensure high performance and reliability at high voltages are crucial for chip integration. In this study, a 4H–SiC built-in MOS-channel diode MOSFET w
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/af3e243ec2d243b7be53c78d1a3a8b9c
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Nanoscale Research Letters, Vol 12, Iss 1, Pp 1-6 (2017)
Abstract Conductance method was employed to study the physics of traps (e.g., interface and bulk traps) in the Al2O3/GaN MOS devices. By featuring only one single peak in the parallel conductance (G p/ω) characteristics in the deep depletion region,
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/c85d83cff5864ff0a59e58a4486f035a
Publikováno v:
Micromachines; Volume 14; Issue 7; Pages: 1282
A novel split-gate SiC MOSFET with an embedded MOS-channel diode for enhanced third-quadrant and switching performances is proposed and studied using TCAD simulations in this paper. During the freewheeling period, the MOS-channel diode with a low pot
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=multidiscipl::bf2ab86373061ab1358b48c97a7b2682
Autor:
Jaeyeop Na, Kwangsoo Kim
Publikováno v:
Electronics; Volume 12; Issue 1; Pages: 92
This study proposed a novel 4H-SiC double trench metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor (DTMCD-MOSFET) structure with a built-in MOS channel diode. Further, its characteristics were analyzed using TCAD simulation. The DTMCD-MOSFET comprise
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::8055ff335c9d871b225da5208e86b707
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.