Comprehensive characterization of vertical GaN-on-GaN Schottky barrier diodes

Autor: Raja, P. Vigneshwara, Raynaud, Christophe, Sonneville, Camille, Eric N'Dohi, Atse Julien, Morel, Hervé, Phung, Luong Viet, Ngo, Thi Huong, De Mierry, Philippe, Frayssinet, Eric, Maher, Hassan, Tasselli, Josiane, Isoird, Karine, Morancho, Frédéric, Cordier, Yvon, Planson, Dominique

Publikováno v: In Microelectronics Journal October 2022 128

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Toward an Innovative Monolithic Integration of Vertical and Lateral GaN Devices

Autor: Zaidan, Zahraa, Al Taradeh, Nedal, Rodriguez, Christophe, Jaouad, Abdelatif, Soltani, Ali, Tasselli, Josiane, Planson, Dominique, Maher, Hassan, Isoird, Karine, Luong, Viet, Sonneville, Camille, Cordier, Yvon, Morancho, Frederic

Publikováno v: Conférence Euro-méditerranéenne Matériaux, Composants et Systèmes EMCM-DS
Conférence Euro-méditerranéenne Matériaux, Composants et Systèmes EMCM-DS, Oct 2022, Fes, Morocco

International audience; This work presents an innovative technology where GaN-based vertical and lateral devices are monolithically integrated. Indeed, this technology will enable to drive high-power switching devices (vertical GaN power FinFETs) usi

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______4074::df70c651d0451c55e293690a7228f040
https://hal.science/hal-03946187/document

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.