Zobrazeno 1 - 10
of 368
pro vyhledávání: '"MIS capacitor"'
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 10, Pp 942-946 (2022)
In this letter, high-performance Al2O3/ $\beta$ -Ga2O3 (001) metal-insulator-semiconductor (MIS) capacitor has been demonstrated. The capacitance-voltage (C–V) curves of the Al2O3/ $\beta$ -Ga2O3 (001) MIS capacitor remain stable under different me
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/08aed261af9b45f49d8bfd80d0c4c007
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Penghao Zhang, Luyu Wang, Kaiyue Zhu, Yannan Yang, Rong Fan, Maolin Pan, Saisheng Xu, Min Xu, Chen Wang, Chunlei Wu, David Wei Zhang
Publikováno v:
Micromachines, Vol 13, Iss 4, p 589 (2022)
A systematic study of the selective etching of p-GaN over AlGaN was carried out using a BCl3/SF6 inductively coupled plasma (ICP) process. Compared to similar chemistry, a record high etch selectivity of 41:1 with a p-GaN etch rate of 3.4 nm/min was
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/3bf45b27f6414f1d9265995beaf0d160
Publikováno v:
Materials Research Express, Vol 9, Iss 10, p 105903 (2022)
By modulating the thermal stress during film growth, the strained aluminum nitride (AlN) thin films with ferroelectric-like behavior were successfully grown by metal organic chemical vapor phase deposition (MOCVD) on silicon (Si) (111) substrate. The
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/b6b4171c33704bbf9a3178a2ce385a41
Publikováno v:
Crystals, Vol 11, Iss 4, p 405 (2021)
In this study, we report on the deposition of a highly crystalline AlN interfacial layer on GaN at 330 °C via plasma-enhanced atomic layer deposition (PEALD). Trimethylaluminum (TMA) and NH3 plasma were used as the Al and N precursors, respectively.
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/093dfab7f1c2491281bfc0228a0ff46e
Autor:
Viðarsson, Arnar
The semiconductor silicon carbide (SiC) might be the key to next-generation of power electronic devices. Its favourable material properties can outperform existing silicon (Si) devices enabling better energy efficiency in power electronics. However,
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3712::e4b833a633172422fb4031023d9de8f6
https://hdl.handle.net/20.500.11815/4155
https://hdl.handle.net/20.500.11815/4155
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Silvestre Salas-Rodríguez, Joel Molina-Reyes, Jaime Martínez-Castillo, Rosa M. Woo-Garcia, Agustín L. Herrera-May, Francisco López-Huerta
Publikováno v:
Electronics
Volume 12
Issue 4
Pages: 903
Volume 12
Issue 4
Pages: 903
We reported the analysis and modeling of some conduction mechanisms in ultrathin aluminum oxide (Al2O3) films of 6 nm thickness, which are deposited by atomic layer deposition (ALD). This modeling included current-voltage measurements to metal-insula
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::a88978ef56a306057bf9f86efc1fc7ae
https://doi.org/10.3390/electronics12040903
https://doi.org/10.3390/electronics12040903
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 67:5033-5038
An Al2O3 thin film is assembled on an unin- tentionally doped ZnO for metal–insulator–semiconductor (MIS) capacitors. Leakage current density ( ${J}$ ), capacitance–voltage ( ${C} - {V}$ ) properties, and their thermal stabilities are investiga
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::64af7b0e4c40b827785154d2602dccae
https://doi.org/10.1109/ted.2020.3021369
https://doi.org/10.1109/ted.2020.3021369
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.