Zobrazeno 1 - 4
of 4
pro vyhledávání: '"M.Yu. Makhmud-Akhunov"'
Publikováno v:
Известия высших учебных заведений. Поволжский регион: Физико-математические науки, Iss 3 (2022)
Background. Currently, GaN/InGaN heterostructures are the main element base of modern optoelectronics. The widespread use of InGaN-based structures causes high reliability requirements. In order to ensure high reliability of photostructures, it is
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/9403ef37d52c424a8c66968fb82b1763
Publikováno v:
Известия высших учебных заведений. Поволжский регион: Физико-математические науки, Iss 2 (2021)
Background. In modern microelectronics, silicon remains the main material in the production of semiconductor devices and integrated microcircuits. This is largely due to the physicochemical properties of silicon oxide - SiO2, which determines a wid
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/4f0c1ec33fbe45c286840ccb317bed88
Autor:
I.O. Karachev, Research-and-production enterprise 'Zavod Iskra', M.Yu. Makhmud-Akhunov, B.B. Kostishko
Publikováno v:
Известия высших учебных заведений. Поволжский регион: Физико-математические науки, Iss 2 (2021)
Background. In modern microelectronics, silicon remains the main material in the production of semiconductor devices and integrated microcircuits. This is largely due to the physicochemical properties of silicon oxide - SiO2, which determines a wide
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::ae42fe929d1c532528d2f8f4c053f93d
https://doi.org/10.21685/2072-3040-2021-2-8
https://doi.org/10.21685/2072-3040-2021-2-8
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.