Zobrazeno 1 - 10
of 79
pro vyhledávání: '"M.Y. Ghannam"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Proceedings of the 1988 Bipolar Circuits and Technology Meeting.
Detailed two dimensional simulations were carried out on side-wall spacer self-aligned (1) polysilicon emitter bipolar transistor and (2) low-temperature epitaxial emitter bipolar transistor. It is shown that the lateral extrinsic-base-to-intrinsic-b
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::78f2a29736431d69045df54aa0a562db
https://doi.org/10.1109/bipol.1988.51055
https://doi.org/10.1109/bipol.1988.51055
Publikováno v:
ICM'99. Proceedings. Eleventh International Conference on Microelectronics (IEEE Cat. No.99EX388).
A thin solar cell with light trapping obtained via diffuse (lambertian) back surface reflection is analyzed. An accurate closed form expression is derived for the generation profile. The enhancement of the photogenerated current is estimated. The res
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::7e90630e8c19fc435f67c1bc5a618f7d
https://doi.org/10.1109/icm.2000.884839
https://doi.org/10.1109/icm.2000.884839
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Le Journal de Physique Colloques. 49:C4-275
Shockley-Read-Hall recombination center density due to the localized states in the minority carrier band tail has been calculated, It is shown that in heavily doped silicon, the effect of these band tail states is comparable to or more important than
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c82b5247ff677fadfb89c2dd0d1c7692
https://doi.org/10.1051/jphyscol:1988457
https://doi.org/10.1051/jphyscol:1988457
The propagation delay T of an Emitter-Coupled-Logic (ECL) gate is studied as a function of the different device aind circuit. parameters involved. It is found that the delay in the response of the switching transistor is the dominant delay component.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c03e47e44bb5fb4e8c1ed8d7993067a9
https://doi.org/10.1007/978-3-642-52314-4_169
https://doi.org/10.1007/978-3-642-52314-4_169
