Zobrazeno 1 - 10
of 167
pro vyhledávání: '"M.W. Geis"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
M.W. Geis, M.A. Hollis, G.W. Turner, J. Daulton, J.O. Varghese, K. Klyukin, J. Wang, B. Yildiz, B. Zhang
Publikováno v:
Diamond and Related Materials. 122:108775
Autor:
M.W. Geis
Publikováno v:
Proceedings of the IEEE. 79:669-676
The author reviews some of the device properties of diamonds, as well as recently developed diamond device fabrication techniques for high-frequency, high-power transistors. Two advantages of diamond over other semiconductors used for high-frequency,
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
S.A. Gajar, M.W. Geis
Publikováno v:
50th Annual Device Research Conference.
Autor:
M.W. Geis
Publikováno v:
Thin Solid Films. 216:134-136
Diamond is a high band gap (5.5 eV) semiconductor that has superior properties to many of the commonly used semiconductors. The high breakdown voltage (ten times that of Si), exceptionally high thermal conductivity (five times that of copper), and ho
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.