Zobrazeno 1 - 7
of 7
pro vyhledávání: '"M.V. Silakov"'
Modeling and simulation issues in Monte Carlo calculation of electron interaction with solid targets
Autor:
P. J. Mangat, Bing Lu, V.V. Ivin, Kevin J. Nordquist, G. A. Babushkin, M.V. Silakov, D. J. Resnick
Publikováno v:
Microelectronic Engineering. 69:594-605
Several Monte Carlo approaches for modeling electron-solid interaction have been investigated as to their impact on simulation accuracy and performance. An optimum set of models, including the Mott elastic scatter cross-section, the Moller inelastic
Publikováno v:
Microelectronic Engineering. :355-360
A traditional method of e-beam lithography simulation uses the convolution of beam point spread function (a.k.a. “proximity function”) with the electron dose image to calculate density of energy deposited in resist. The proximity function is calc
Autor:
D. Minyushkin, William J. Dauksher, V.V. Ivin, M.V. Silakov, Kevin J. Nordquist, Pawitter J. S. Mangat, D. J. Resnick, David P. Mancini, Zorian S. Masnyj, N.V. Vorotnikova, Eric S. Ainley, Bing Lu
Publikováno v:
Microelectronic Engineering. :505-510
One promising technology for next generation lithography is the electron projection technique called SCALPEL. Relatively thin membrane and scattering materials are required for high contrast imaging during SCALPEL wafer exposures. The thin SCALPEL me
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.