Zobrazeno 1 - 10
of 13
pro vyhledávání: '"M.V. Depaolis"'
Autor:
R.J. Scavuzzo, G.D. Ronkin, G. Komoriya, P.V. Argade, D.A. Inglis, R.T. Franzo, H. Lee, T.J. Woch, T.R. Little, Hubert R. McLellan, S. Aymeloglu, M.V. dePaolis, H.Q. Pham, A.D. Berenbaum, R.D. Freeman, G.A. MacDonald, E.C. Morgan
Publikováno v:
Digest of Papers. Compcon Spring.
The class of portable hybrid computer/communication devices called personal communicators requires a microprocessor that simultaneously maximizes performance and minimizes power dissipation and silicon real estate. AT&T's 92010 Hobbit microprocessor
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::010484863c1effe1d954f9c4691f5978
https://doi.org/10.1109/cmpcon.1993.289642
https://doi.org/10.1109/cmpcon.1993.289642
Autor:
W.S. Lindenberger, A.C. Dumbri, L. Noda, K.-H. Lee, W.W. Troutman, Y.-H. Wong, C.-T. Liu, J.M. Drynan, R. Dail, James T. Clemens, M.V. Depaolis, M. Nakamae, Philip W. Diodato
Publikováno v:
Proceedings. International Workshop on Memory Technology, Design and Testing (Cat. No.98TB100236).
The desire to enhance memory bandwidth in high performance computing components is overwhelming, and early attempts to combine large memories with high performance logic in a single silicon integrated circuit are numerous. However, existing implement
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::eed8a80b601df1e75c5fcc8a96420f77
https://doi.org/10.1109/mtdt.1998.705942
https://doi.org/10.1109/mtdt.1998.705942
Autor:
R. Singh, R.J. McPartland, Chung Wai Leung, S. Aymeloglu, G.A. MacDonald, D.J. Loeper, M.V. dePaolis, F.P. Higgins, G. Komoriya
Publikováno v:
Proceedings of the IEEE 2000 Custom Integrated Circuits Conference (Cat. No.00CH37044).
This paper describes the use of low cost, flash EEPROM switches to control redundancy in SRAM embedded memories. Flash cell design, operation and process technology are described. A 768K-bit embedded SRAM memory with flash controlled column redundanc
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::685c96ff8db8169586a80bf15807fa65
https://doi.org/10.1109/cicc.2000.852668
https://doi.org/10.1109/cicc.2000.852668
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 16:251-251
The emission spectra of the following molecular centers in ZnS lumocen films have been studied over the range from 3500A to 1.1µ and have been related whenever possible, to known energy level schemes: PrF 3 , NdF 3 , SmF 3 , TbF 3 , DyF 3 , ErF 3 ,
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::1f636ff03f876d45d56ad5fa91af04a9
https://doi.org/10.1109/t-ed.1969.16692
https://doi.org/10.1109/t-ed.1969.16692
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.