Zobrazeno 1 - 9
of 9
pro vyhledávání: '"M.S.T. Liu"'
Autor:
Guofu Niu, J. Patel, M.M. Mojarradi, Paul W. Marshall, Robert A. Reed, John D. Cressler, Benjamin J. Blalock, Ying Li, M.S.T. Liu
Publikováno v:
IEEE Transactions on Nuclear Science. 50:1885-1890
We investigate proton damage in SOI CMOS devices on UNIBOND using a variety of lateral bipolar operational modes. We show that the impact of interface states and oxide charge can be more clearly observed using lateral bipolar action than by using nor
Autor:
Paul W. Marshall, M.S.T. Liu, R. Reedy, S. P. Buchner, B. Fodness, Hak Kim, W. Heikkila, P.J. McNulty, Raymond L. Ladbury, Robert A. Reed, C.J. Tabbert, T.A. Jordan, Ken LaBel
Publikováno v:
IEEE Transactions on Nuclear Science. 49:3038-3044
Historically, proton-induced single-event effects (SEES) ground test data are collected independent of the orientation of the microelectronic device to the proton beam direction. In this study, we present experimental and simulation evidence that sho
Autor:
M.S.T. Liu, Hyun-Chul Kim, J. Patel, M.J. Palmer, Ying Li, John D. Cressler, Guofu Niu, Paul W. Marshall, Robert A. Reed
Publikováno v:
IEEE Transactions on Nuclear Science. 49:2930-2936
We investigate the proton radiation tolerance of a 0.35 /spl mu/m SOI technology on UNIBOND material. The radiation response is characterized by threshold-voltage shifts of the front-gate and back-gate transistors. An increase of the front-gate thres
Publikováno v:
ResearcherID
The pseudo-MOS transistor (/spl Psi/-MOSFET) is a surprising and useful technique for the rapid evaluation of SOI wafers, prior to any CMOS processing. We review the static and dynamic modes of operation as well as the main models and methods for ele
Autor:
Guofu Niu, M.S.T. Liu, Benjamin J. Blalock, J. Patel, John D. Cressler, M.M. Mojarradi, Ying Li, Robert A. Reed
Publikováno v:
2003 Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuits in RF Systems, 2003. Digest of Papers..
Partially-depleted SOI CMOS devices fabricated in a 0.35 /spl mu/m technology on UNIBOND material were evaluated for electronics applications requiring robust operation under extreme environment conditions consisting of: low and/or high temperatures,
Publikováno v:
1998 IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings 36th Annual (Cat No 98CH36173) RELPHY-98.
Carrier generation by impact ionization in SOI MOSFETs as a function of the strength of channel coupling, adjusted by varying the back gate bias or the silicon film thickness, was extensively studied by extensive PISCES numerical simulations. The res
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.