Zobrazeno 1 - 10
of 13
pro vyhledávání: '"M.P.G. Knuvers"'
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 39:2090-2098
An analytical model describing reverse and forward DC characteristics is presented. It serves as a basis for a compact model for circuit simulation purposes. The model is based on the solution of the hole continuity equation in the depletion layer of
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5fc9b2d6aadf7faa04a0c61d02414749
https://doi.org/10.1109/16.155882
https://doi.org/10.1109/16.155882
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 39:331-338
A recombination model for device simulation that includes both trap-assisted tunneling (under forward and reverse bias) and band-to-band tunneling (Zener tunneling) is presented. The model is formulated in terms of analytical functions of local varia
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::9738b1024d4fa6e9b8d4e3888f66f527
https://doi.org/10.1109/16.121690
https://doi.org/10.1109/16.121690
Publikováno v:
International Technical Digest on Electron Devices Meeting.
Measurements on the reverse and nonideal forward currents in heavily doped diodes and in advanced bipolar transistors in the temperature range from 77 K to 300 K are presented. A detailed comparison is made between these measurements and various mode
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::3c3a24e6de5e48b56ea4a9ed8c9b154b
https://doi.org/10.1109/iedm.1989.74285
https://doi.org/10.1109/iedm.1989.74285
A recombination model is presented that incorporates trap-assisted tunnelling in a Shockley-Read-Hall type formulation. This model is based an a simple quantum-mechanical treatment of the p-n junction. using the envelope-function approach. By compari
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e2d626fc9e73c7cf9c32291d5b2d9f88
https://doi.org/10.1007/978-3-642-52314-4_167
https://doi.org/10.1007/978-3-642-52314-4_167
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 36:2630-2631
Summary form only given. The authors report experimental results on double-polysilicon self-aligned n-p-n transistors that clearly indicate that the emitter-base reverse characteristics are inherently limited by three-dimensional effects in the corne
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ecc1bb7989e50af1a72257fcec8d31c8
https://doi.org/10.1109/16.43763
https://doi.org/10.1109/16.43763
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.