Zobrazeno 1 - 8
of 8
pro vyhledávání: '"M.P. Zurakowski"'
Autor:
D. J. McQUATE, R. C. Bray, D. Cropper, C. A. Johnsen, P.R. Hernday, M.P. Zurakowski, K. Salomaa, G.A. Conrad, R. L. Jungerman
Publikováno v:
Journal of Lightwave Technology. 8:1363-1370
The design and characterization of the first integrated optic modulator for a commercial instrument application are described. Alternative forms of modulation, including direct laser current modulation and optical heterodyne techniques, are reviewed
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters. 5:329-332
A thin, highly Si-doped (n-type) interfacial layer is used for controlled barrier lowering in n-type GaAs. The thickness and the doping density of the interfacial n+ layer in the range of 50-100 A, are extracted from the measured electrical character
Publikováno v:
1983 International Electron Devices Meeting.
The fabrication and properties of engineered Al:n-GaAs Schottky barriers are reported. It is demonstrated that these contacts can be designed to have any barrier height ranging from near zero (ohmic) to nearly bandgap. Molecular beam epitaxy (MBE) wa
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.