Výsledky vyhledávání - "M.N.I. Abd Aziz"

Akademický článek

Optimization of process parameter variations on leakage current in in silicon-oninsulator vertical double gate mosfet device

Autor: K.E. Kaharudin, F. Salehuddin, A.S.M. Zain, M.N.I. Abd Aziz

Publikováno v: Journal of Mechanical Engineering and Sciences, Vol 9, Pp 1614-1627 (2015)

This paper presents a study of optimizing input process parameters on leakage current (IOFF) in silicon-on-insulator (SOI) Vertical Double-Gate,Metal Oxide Field-Effect-Transistor (MOSFET) by using L36 Taguchi method. The performance of SOI Vertical

Externí odkaz: https://doaj.org/article/30b067f28f124e08bc22bad621088278

Zobrazit plný text záznamu

Optimization of process parameter variations on leakage current in SOI vertical double gate MOSFET device

Autor: Fauziyah Salehuddin, M.N.I. Abd Aziz, K.E. Kaharudin, Anis Suhaila Mohd Zain

Publikováno v: Journal of Mechanical Engineering and Sciences. 10:1895-1907

This paper presents a study of optimizing input process parameters on leakage current (IOFF) in a silicon-on-insulator (SOI) Vertical Double-Gate (DG) Metal Oxide FieldEffect-Transistor (MOSFET) by using the L36 Taguchi method. The performance of the

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::2dc6e1d5dc1686162bf785b1d353f602
https://doi.org/10.15282/jmes.10.1.2016.13.0181

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání