Zobrazeno 1 - 10
of 80
pro vyhledávání: '"M.M. Moghadam"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
M.M. Moghadam, Peter W. Voorhees
Publikováno v:
Computational Materials Science. 143:454-461
Level-set method is used to simulate phase transformations with anisotropic kinetics where the transforming interface is faceted. The method overcomes previous limitation of this simulation methodology in tracking dynamic evolution of a large number
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::356533b63687bf5ca000df7f873e885c
https://doi.org/10.1016/j.commatsci.2017.10.055
https://doi.org/10.1016/j.commatsci.2017.10.055
Publikováno v:
Crystal Growth & Design. 17:1396-1403
The crystallization kinetics of Zn0.3In1.4Sn0.3O3 (ZITO-30) thin films is investigated via isothermal in situ transmission electron microscopy measurements. Extensive analysis is conducted to reveal the nucleation mechanism and growth rate at four di
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d072577044f602b3b8e4395913f997f7
https://doi.org/10.1021/acs.cgd.6b01849
https://doi.org/10.1021/acs.cgd.6b01849
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
M.M. Moghadam, Peter W. Voorhees
Publikováno v:
Scripta Materialia. 124:164-168
The Level-set method simulation is used to address the effect of finite size on kinetics of thin film phase transformations. The results are first interpreted using the classic Johnson-Mehl-Avrami-Kolmogorov (JMAK) description of a nucleation and gro
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::321aaac1b1092bc8038f32fd95882ab7
https://doi.org/10.1016/j.scriptamat.2016.07.010
https://doi.org/10.1016/j.scriptamat.2016.07.010
Publikováno v:
Thin Solid Films. 612:437-444
The classic framework of Johnson-Mehl-Avrami-Kolmogorov (JMAK) has been commonly used in studies of thin film phase transformation kinetics despite its inherent limitation to transformations that occur in finite size domains or via heterogeneous nucl
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::4ee9af08a9d92f16979c79c2e899e74f
https://doi.org/10.1016/j.tsf.2016.06.035
https://doi.org/10.1016/j.tsf.2016.06.035
Autor:
Michael J. Bedzyk, M.M. Moghadam, Peter W. Voorhees, Tobin J. Marks, Li Zeng, Vinayak P. Dravid, Robert P. H. Chang, Ran Li, D. Bruce Buchholz, Denis T. Keane
Publikováno v:
Physical Review Materials. 2
Amorphous metal oxides (AMOs) are important candidate materials for fabricating next-generation thin-film transistors. While much attention has been directed toward the synthesis and electrical properties of AMOs, less is known about growth condition
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f3748cccecf3b7710d2f98860a53116b
https://doi.org/10.1103/physrevmaterials.2.053401
https://doi.org/10.1103/physrevmaterials.2.053401