Zobrazeno 1 - 10
of 514
pro vyhledávání: '"M.M. Frank"'
Autor:
N. Gong, M.J. Rasch, S.-C. Seo, A. Gasasira, P. Solomon, V. Bragaglia, S. Consiglio, H. Higuchi, C. Park, K. Brew, P. Jamison, C. Catano, I. Saraf, F.F. Athena, C. Silvestre, X. Liu, B. Khan, N. Jain, S. Mcdermott, R. Johnson, I. Estrada-Raygoza, J. Li, T. Gokmen, N. Li, R. Pujari, F. Carta, H. Miyazoe, M.M. Frank, D. Koty, Q. Yang, R. Clark, K. Tapily, C. Wajda, A. Mosden, J. Shearer, A. Metz, S. Teehan, N. Saulnier, B. J. Offrein, T. Tsunomura, G. Leusink, V. Narayanan, T. Ando
Publikováno v:
2022 International Electron Devices Meeting (IEDM).
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
J. Rozen, Y. Ogawa, M. Hatanaka, T. Ando, E. Cartier, M.M. Frank, M. Hopstaken, J. Bruley, K.-T. Lee, J.-B. Yau, Y. Sun, R.L. Bruce, C. D'Emic, X. Sun, K. Suu, R.T. Mo, E. Leobandung, V. Narayanan
Publikováno v:
Extended Abstracts of the 2018 International Conference on Solid State Devices and Materials.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Robert Carleer, Marcel Lux, Dirk Vanderzande, Paul Mertens, Quoc Toan Le, Guy Vereecke, J. Keldermans, Els Kesters, M.M. Frank, Peter Adriaensens, Martine Claes, Alexis Franquet
Publikováno v:
Solid State Phenomena. 134:325-328
[Claes, M.; Le, Q. T.; Kesters, E.; Lux, M.; Franquet, A.; Vereecke, G.; Mertens, P. W.] IMEC VZW, B-3001 Louvain, Belgium.
Autor:
Vamsi Paruchuri, F. Amy, M.M. Frank, C.L. Hsueh, Gribelyuk, Yves J. Chabal, Huiling Shang, Renee T. Mo, A. Beverina, Evgeni Gusev, Sandrine Rivillon, Matthew Copel
Publikováno v:
Solid State Phenomena. :3-6
We review the impact of semiconductor surface preparation on the performance of metal-oxidesemiconductor field-effect transistor (MOSFET) gate stacks. We discuss high-permittivity dielectrics such as hafnium oxide and aluminum oxide on silicon and on
Autor:
E. Serret, F. Kovacs, C. Richard, M.M. Frank, N. Hotellier, L. Dumas, A. Beverina, Pascal Besson, Lucile Broussous, T. Billon
Publikováno v:
Solid State Phenomena. :361-364
This paper summarizes the process development of TiN barrier etching in presence of copper, for a thick copper level in BICMOS technology. In an industrial context, we have chosen to use a SC1 chemistry in a spin etch single wafer tool. The SC1 compo