Zobrazeno 1 - 2
of 2
pro vyhledávání: '"M.J. Yannuzi"'
Autor:
Robert C. Fitch, T.J. Jenkins, James K. Gillespie, Fan Ren, B. Luo, Neil Moser, Brent P. Gila, Glen D. Via, D. Gotthold, Steve Pearton, Gregg H. Jessen, R. Mehandru, A. H. Onstine, M.J. Yannuzi, R. Birkhahn, C. R. Abernathy, Antonio Crespo, Jihyun Kim, B. Peres
Publikováno v:
Solid-State Electronics. 47:1781-1786
The dc and power characteristics of AlGaN/GaN MOS-HEMTs with Sc2O3 gate dielectrics were compared with that of conventional metal-gate HEMTs fabricated on the same material. The MOS-HEMT shows higher saturated drain–source current (∼0.75 A/mm) an
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::3c89c2fbac16bf1e3f23265e9029f250
https://doi.org/10.1016/s0038-1101(03)00138-2
https://doi.org/10.1016/s0038-1101(03)00138-2
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.